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参数资料
| 型号： | CM600DU-24F |
| 厂商： | POWEREX INC |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | Dual IGBTMOD 600 Amperes/1200 Volts |
| 中文描述： | 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | CM600DU-24F |
2
CM600DU-24F
Dual IGBTMOD F-Series Module
600 Amperes/1200 Volts
Powerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
Absolute Maximum Ratings,
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified
Ratings
Symbol
CM600DU-24F
Units
°
C
°
C
Junction Temperature
T
j
-40 to 150
Storage Temperature
T
stg
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E
I
EM
P
c
–
-40 to 125
Collector-Emitter Voltage (G-E SHORT)
1200
Volts
Gate-Emitter Voltage (C-E SHORT)
±
20
Volts
Collector Current (T
c
= 25
°
C)
Peak Collector Current
600
Amperes
1200*
Amperes
Emitter Current** (T
c
= 25
°
C)
Peak Emitter Current**
600
Amperes
1200*
Amperes
Maximum Collector Dissipation (T
c
= 25
°
C, T
j
≤
150
°
C)
Mounting Torque, M8 Main Terminal
1540
Watts
95
in-lb
Mounting Torque, M6 Mounting
–
40
in-lb
G(E) Terminal, M4
–
15
in-lb
Weight
–
1200
Grams
Isolation Voltage (Main Terminal to Baseplate, AC 1 min.)
V
iso
2500
Volts
Static Electrical Characteristics,
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified
Characteristics
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Collector-Cutoff Current
I
CES
I
GES
V
GE(th)
V
CE(sat)
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 60mA, V
CE
= 10V
I
C
= 600A, V
GE
= 15V, T
j
= 25
°
C
I
C
= 600A, V
GE
= 15V, T
j
= 125
°
C
V
CC
= 600V, I
C
= 600A, V
GE
= 15V
I
E
= 600A, V
GE
= 0V
–
–
2
mA
Gate Leakage Current
–
–
80
μ
A
Gate-Emitter Threshold Voltage
5.0
6
7.0
Volts
Collector-Emitter Saturation Voltage
–
1.95
2.55
Volts
–
2.05
–
Volts
Total Gate Charge
Q
G
V
EC
–
6600
–
nC
Emitter-Collector Voltage**
* Pulse width and repetition rate should be such that the device junction temperature (T
j
) does not exceed T
j(max)
rating.
**Represents characteristics of the anti-parallel, emitter-to-collector free-wheel diode (FWDi).
–
–
3.35
Volts
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