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参数资料
| 型号： | CM600DU-24F |
| 厂商： | POWEREX INC |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | Dual IGBTMOD 600 Amperes/1200 Volts |
| 中文描述： | 600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 65K |
| 代理商： | CM600DU-24F |
3
CM600DU-24F
Dual IGBTMOD F-Series Module
600 Amperes/1200 Volts
Powerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
Dynamic Electrical Characteristics,
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified
Characteristics
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
Input Capacitance
C
ies
C
oes
C
res
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
t
rr
Q
rr
–
–
230
nf
Output Capacitance
V
CE
= 10V, V
GE
= 0V
–
–
10
nf
Reverse Transfer Capacitance
–
–
6
nf
Resistive
Turn-on Delay Time
V
CC
= 600V, I
C
= 600A,
V
GE1
= V
GE2
= 15V,
R
G
= 1.0 ,
Inductive Load
–
–
450
ns
Load
Rise Time
–
–
200
ns
Switch
Turn-off Delay Time
–
–
800
ns
Times
Fall Time
–
–
300
ns
Diode Reverse Recovery Time*
Switching Operation
–
–
500
ns
Diode Reverse Recovery Charge*
I
E
= 600A
–
43.2
–
μ
C
Thermal and Mechanical Characteristics,
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified
Characteristics
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
°
C/W
Thermal Resistance, Junction to Case
R
th(j-c)
Q
Per IGBT 1/2 Module, T
c
Reference
Point per Outline Drawing
–
–
0.081
Thermal Resistance, Junction to Case
R
th(j-c)
R
Per FWDi 1/2 Module, T
c
Reference
Point per Outline Drawing
–
–
0.11
°
C/W
Thermal Resistance
R
th(j-c')
Q
Per IGBT 1/2 Module
–
–
0.032**
°
C/W
T
c
Reference Point Under Chips
Per Module, Thermal Grease Applied
Contact Thermal Resistance
R
th(c-f)
R
G
–
0.010
–
°
C/W
External Gate Resistance
*Represents characteristics of the anti-parallel, emitter-to-collector free-wheel diode (FWDi).
**If you use this value, R
th(f-a)
should be measured just under the chips.
1.0
–
52
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