- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录381676 > CM600E2Y-34H (POWEREX INC) HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | CM600E2Y-34H |
| 厂商： | POWEREX INC |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| 中文描述： | 600 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | POWER MODULE-10 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | CM600E2Y-34H |
Feb. 2000
MITSUBISHI HVIGBT MODULES
CM600E2Y-34H
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
G
I
C...................................................................
600A
G
V
CES .......................................................
1700V
G
Insulated Type
G
1-elements in a pack (for brake)
APPLICATION
DC choppers, Dynamic braking choppers.
CM600E2Y-34H
HVIGBT MODULES (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor Modules)
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules
E2
C2
E1
G1
C1
E1
C1
CM
G1
C2
E2
E1
C1
3 - M4 NUTS
4 - M8 NUTS
C1
E1
G2
E2
C2
114
3
53
40
2
14
2
3
130
16
5
3
11.85
55.2
11.5
35
5
6 -
φ
7
MOUNTING HOLES
57
±
0.25
57
±
0.25
1
±
0
1
LABEL
CIRCUIT DIAGRAM
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM600HA-24A | Single IGBTMOD⑩ A-Series Module 600 Amperes/1200 Volts |
| CM600HA24H | Single IGBTMOD H-Series Module 600 Amperes/1200 Volts |
| CM600HB-90H | Single IGBTMOD⑩ HVIGBT 600 Amperes/4500 Volts |
| CM75DU-12F | Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 75 Amperes/600 Volts |
| CM75DU-24F | Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 75 Amperes/1200 Volts |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CM600E2Y-34H_03 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM600E3U-12NFH | 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE NFH 600A 600V 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT, MODULE, 600V, 600A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:600A; Collector Emitter Voltage Vces:2V; Power Dissipation Pd:1.42kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Min:-40C ;RoHS Compliant: Yes |
| CM600HA12E | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 600A I(C) |
| CM600HA-12H | 功能描述:IGBT MOD SGL 600V 600A H SER RoHS:否 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| CM600HA-24A | 功能描述:IGBT MOD SGL 1200V 600A A SERIES RoHS:否 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。