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参数资料
| 型号： | CM600E2Y-34H |
| 厂商： | POWEREX INC |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| 中文描述： | 600 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | POWER MODULE-10 |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 45K |
| 代理商： | CM600E2Y-34H |
Feb. 2000
MITSUBISHI HVIGBT MODULES
CM600E2Y-34H
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules
7
5
3
2
7 10
2
10
–1
7
5
2 3
5 7 10
3
2 3
5
5
3
2
10
0
5
7
5
3
2
7 10
2
10
–1
7
5
2 3
5 7 10
3
2 3
5
5
3
2
10
0
5
t
d(off)
t
d(on)
V
CC
= 850V, V
GE
=
±
15V
R
G
= 3.3
, T
j
= 125
°
C
Inductive load
t
r
t
f
HALF-BRIDGE
SWITCHING CHARACTERISTICS
(TYPICAL)
S
μ
s
COLLECTOR CURRENT I
C
(A)
V
CC
= 850V, T
j
= 25
°
C
Inductive load
V
GE
=
±
15V, R
G
= 3.3
t
rr
I
rr
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS
OF FREE-WHEEL DIODE
(TYPICAL)
R
r
μ
s
EMITTER CURRENT I
E
(A)
R
r
7
5
3
2
10
2
7
5
5
3
2
10
3
10
–2
10
–3
10
–2
10
–1
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
0
10
1
7
5
3
2
2 3 5 7
2 3 5 7
2 3 5 7
Single Pulse
T
C
= 25
°
C
R
th(j – c)
= 0.032
°
C/W
(Per 1/2 module)
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT part)
N
T
t
TIME (s)
10
–2
10
–3
10
–2
10
–1
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
0
10
1
7
5
3
2
2 3 5 7
2 3 5 7
2 3 5 7
N
T
t
TIME (s)
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(FWDi part)
20
16
12
8
4
0
4000
5000
3000
0
1000
2000
V
GE
– GATE CHARGE
(TYPICAL)
G
G
GATE CHARGE Q
G
(nC)
V
CC
= 850V
I
C
= 600A
Single Pulse
T
C
= 25
°
C
R
th(j – c)
= 0.080
°
C/W
(Per 1/2 module)
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