参数资料
型号: CM600DU-24F
厂商: Powerex Inc
文件页数: 2/4页
文件大小: 0K
描述: IGBT MOD DUAL 1200V 600A F SER
标准包装: 1
系列: IGBTMOD™
配置: 半桥
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开): 2.55V @ 15V,600A
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 600A
电流 - 集电极截止(最大): 2mA
Vce 时的输入电容 (Cies): 230nF @ 10V
功率 - 最大: 1540W
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商设备封装: 模块
Powerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
CM600DU-24F
Dual IGBTMOD? F-Series Module
600 Amperes/1200 Volts
Absolute Maximum Ratings, T j = 25 ° C unless otherwise specified
Ratings
Junction Temperature
Storage Temperature
Collector-Emitter Voltage (G-E SHORT)
Gate-Emitter Voltage (C-E SHORT)
Collector Current (T c = 25 ° C)
Peak Collector Current
Emitter Current** (T c = 25 ° C)
Peak Emitter Current**
Maximum Collector Dissipation (T c = 25 ° C, T j ≤ 150 ° C)
Mounting Torque, M8 Main Terminal
Mounting Torque, M6 Mounting
G(E) Terminal, M4
Weight
Isolation Voltage (Main Terminal to Baseplate, AC 1 min.)
Symbol
T j
T stg
V CES
V GES
I C
I CM
I E
I EM
P c
V iso
CM600DU-24F
-40 to 150
-40 to 125
1200
± 20
600
1200*
600
1200*
1540
95
40
15
1200
2500
Units
° C
° C
Volts
Volts
Amperes
Amperes
Amperes
Amperes
Watts
in-lb
in-lb
in-lb
Grams
Volts
Static Electrical Characteristics, T j = 25 ° C unless otherwise specified
Characteristics
Collector-Cutoff Current
Gate Leakage Current
Gate-Emitter Threshold Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Total Gate Charge
Emitter-Collector Voltage**
Symbol
I CES
I GES
V GE(th)
V CE(sat)
Q G
V EC
Test Conditions
V CE = V CES , V GE = 0V
V GE = V GES , V CE = 0V
I C = 60mA, V CE = 10V
I C = 600A, V GE = 15V, T j = 25 ° C
I C = 600A, V GE = 15V, T j = 125 ° C
V CC = 600V, I C = 600A, V GE = 15V
I E = 600A, V GE = 0V
Min.
5.0
Typ.
6
1.95
2.05
6600
Max.
2
80
7.0
2.55
3.35
Units
mA
μ A
Volts
Volts
Volts
nC
Volts
* Pulse width and repetition rate should be such that the device junction temperature (T j ) does not exceed T j(max) rating.
**Represents characteristics of the anti-parallel, emitter-to-collector free-wheel diode (FWDi).
2
相关PDF资料
PDF描述
CM600DU-24NFH IGBT MOD DUAL 1200V 600A NFH SER
CM600DU-24NF IGBT MOD DUAL 1200V 600A NF SER
CM600DU-5F IGBT MOD DUAL 250V 600A F SER
CM600DY-12NF IGBT MOD DUAL 600V 600A NF SER
CM600DY-24A IGBT MOD DUAL 1200V 600A A SER
相关代理商/技术参数
参数描述
CM600DU-24NF 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 600A NF SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
CM600DU-24NF_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM600DU-24NFH 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 600A NFH SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B
CM600DU-24NFH_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM600DU-5F 功能描述:IGBT MOD DUAL 250V 600A F SER RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V Vge, Ic时的最大Vce(开):1.4V @ 15V,100A 电流 - 集电极 (Ic)(最大):430A 电流 - 集电极截止(最大):100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B