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参数资料
| 型号： | CM600DU-24F |
| 厂商： | Powerex Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IGBT MOD DUAL 1200V 600A F SER |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | IGBTMOD™ |
| 配置： | 半桥 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 1200V |
| Vge, Ic时的最大Vce（开）： | 2.55V @ 15V，600A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 600A |
| 电流 - 集电极截止（最大）： | 2mA |
| Vce 时的输入电容 (Cies)： | 230nF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1540W |
| 输入： | 标准 |
| NTC 热敏电阻： | 无 |
| 安装类型： | 底座安装 |
| 封装/外壳： | 模块 |
| 供应商设备封装： | 模块 |
Powerex, Inc., 200 E. Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
CM600DU-24F
Dual IGBTMOD? F-Series Module
600 Amperes/1200 Volts
Dynamic Electrical Characteristics, T j = 25 ° C unless otherwise specified
Characteristics
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Symbol
C ies
C oes
C res
Test Conditions
V CE = 10V, V GE = 0V
Min.
–
–
–
Typ.
–
–
–
Max.
230
10
6
Units
nf
nf
nf
Resistive
Load
Switch
Times
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Fall Time
t d(on)
t r
t d(off)
t f
V CC = 600V, I C = 600A,
V GE1 = V GE2 = 15V,
R G = 1.0 ,
Inductive Load
–
–
–
–
–
–
–
–
450
200
800
300
ns
ns
ns
ns
Diode Reverse Recovery Time*
Diode Reverse Recovery Charge*
t rr
Q rr
Switching Operation
I E = 600A
–
–
–
43.2
500
–
ns
μ C
Thermal and Mechanical Characteristics, T j = 25 ° C unless otherwise specified
Characteristics
Thermal Resistance, Junction to Case
Symbol
R th(j-c) Q
Test Conditions
Per IGBT 1/2 Module, T c Reference
Min.
–
Typ.
–
Max.
0.081
Units
° C/W
Point per Outline Drawing
Thermal Resistance, Junction to Case
R th(j-c) R
Per FWDi 1/2 Module, T c Reference
–
–
0.11
° C/W
Point per Outline Drawing
Thermal Resistance
R th(j-c') Q
Per IGBT 1/2 Module
–
–
0.032** ° C/W
T c Reference Point Under Chips
Contact Thermal Resistance
External Gate Resistance
R th(c-f)
R G
Per Module, Thermal Grease Applied
–
1.0
0.010
–
–
52
° C/W
?
*Represents characteristics of the anti-parallel, emitter-to-collector free-wheel diode (FWDi).
**If you use this value, R th(f-a) should be measured just under the chips.
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PDF描述 |
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