收藏本站
参数资料
型号： CM800DU-12H
厂商： POWEREX INC
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： Dual IGBTMOD 800 Amperes/600 Volts
中文描述： 800 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装： MODULE-7
文件页数： 4/4页
文件大小： 76K
代理商： CM800DU-12H
4
CM800DU-12H
Dual IGBTMOD
U-Series Module
800 Amperes/600 Volts
Powerex, Inc., 200 Hillis Street, Youngwood, Pennsylvania 15697-1800 (724) 925-7272
TIME, (s)
t
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(IGBT)
10
-2
10
-1
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-3
10
0
10
1
Single Pulse
T
= 25
°
C
Per Unit Base = R
th(j-c)
= 0.06
°
C/W
Z
t
t
10
-1
10
-2
10
-3
TIME, (s)
t
TRANSIENT THERMAL
IMPEDANCE CHARACTERISTICS
(FWDi)
10
-2
10
-1
10
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
0
10
-1
10
-2
10
-3
10
-3
10
0
10
1
Single Pulse
T
= 25
°
C
Per Unit Base = R
th(j-c)
= 0.09
°
C/W
Z
t
t
10
-1
10
-2
10
-3
相关PDF资料
PDF描述
CM800DZ-34H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM800HA-28H Single IGBTMOD 800 Amperes/1400 Volts
CM800HA-34H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM800HB-50H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM800HB-66H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
相关代理商/技术参数
参数描述
CM800DY-24S 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT 1200V 790A 5355W MODULE 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT, MODULE, 1.2KV, 800A; Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:800A; Collector Emitter Voltage Vces:1.7V; Power Dissipation Pd:5.355kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Min:-40C 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
CM800DZ-34H 制造商:Mitsubishi Electric 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
CM800DZB-34N 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM800E2C-66H 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
CM800E2Z-66H 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*