型号: | CMBT2907A-T |
厂商: | RECTRON LTD |
元件分类: | 小信号晶体管 |
中文描述: | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | SMD, 3 PIN |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 79K |
代理商: | CMBT2907A-T |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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CMBT8550 | PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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CMBT2907AT/-W | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP 0.6A 60V Gen Pur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
CMBT3903 | 制造商:CDIL 制造商全称:Continental Device India Limited 功能描述:SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS |
CMBT3904 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN,0.2A,40V GenPur RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
CMBT3904E | 功能描述:两极晶体管 - BJT SMD Small Signal Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
CMBT3904E TR | 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR 功能描述:CMBT3904E Series SOT-923 40V 200mA Surface Mount Bipolar Transistor |