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参数资料
| 型号： | CMLT3820G |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 中文描述： | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PICOMINI-6 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 110K |
| 代理商： | CMLT3820G |
Central
Semiconductor Corp.
TM
SOT-563 CASE - MECHANICAL OUTLINE
CMLT3820G
SURFACE MOUNT
PICOminiTM
VERY LOW VCE(SAT)
NPN SILICON TRANSISTOR
R1 (30-September 2008)
LEAD CODE:
1) COLLECTOR
2) COLLECTOR
3) BASE
4) EMITTER
5) COLLECTOR
6) COLLECTOR
(Pins 1, 2, 5 and 6 are common.)
MARKING CODE: 38G
PIN CONFIGURATION
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CMLT5078E | |
| CMLT5087E | |
| CMLT5088E | |
| CMLT7820G | |
| CMNT3906E | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CMLT3820G TR | 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR 功能描述:Transistors Bipolar (BJT) Small Signal Transistor NPN |
| CMLT3820G_10 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT VERY LOW VCE(SAT) NPN SILICON TRANSISTOR |
| CMLT3904 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | SOT-363VAR |
| CMLT3904E | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Complementary Enhanced RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMLT3904E TR | 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR 功能描述:SMD Small Signal Transistor Dual NPN |
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