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参数资料
| 型号： | CMLT5088E |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 中文描述： | 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | PICOMINI-6 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 519K |
| 代理商： | CMLT5088E |
CMLT5078E NPN/PNP
CMLT5087E PNP/PNP
CMLT5088E NPN/NPN
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
SILICON DUAL TRANSISTORS
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT5078E,
CMLT5087E, and CMLT5088E, are Silicon transistors
in a PICOmini surface mount package with enhanced
specifications designed for applications requiring high
gain and low noise.
MAXIMUM RATINGS: (TA=25oC)
SYMBOL
UNITS
Collector-Base Voltage
VCBO
50
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
50
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
5.0
V
Continuous Collector Current
IC
100
mA
Power Dissipation
PD
350
mW
Operating and Storage Junction Temperature
TJ, Tstg
-65 to +150
o
C
Thermal Resistance
ΘJA
357
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (TA=25oC unless otherwise noted)
TYP
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
NPN
PNP
MAX
UNITS
ICBO
VCB=20V
50
nA
IEBO
VEB=3.0V
50
nA
BVCBO
IC=100A
50
135
150
V
BVCEO
IC=1.0mA
50
65
105
V
BVEBO
IE=100A
5.0
8.7
7.5
V
VCE(SAT)
IC=10mA, IB=1.0mA
45
50
100
mV
VCE(SAT)
IC=100mA, IB=10mA
110
225
400
mV
VBE(SAT)
IC=10mA, IB=1.0mA
700
800
mV
hFE
VCE=5.0V, IC=0.1mA
300
430
390
900
hFE
VCE=5.0V, IC=1.0mA
300
435
380
hFE
VCE=5.0V, IC=10mA
300
430
350
hFE
VCE=5.0V, IC=100mA
50
125
75
fT
VCE=5.0V, IC=500A, f=20MHz
100
MHz
Cob
VCB=5.0V, IE=0, f=1.0MHz
4.0
pF
Cib
VBE=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
15
pF
hfe
VCE=5.0V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
350
1400
NF
VCE=5.0V, IC=100μA, RS=10kΩ,
f=10Hz to 15.7kHz
3.0
dB
MARKING CODE & CONFIGURATION:
CMLT5078E: DUAL, COMPLEMENTARY: L78
CMLT5087E: DUAL, PNP: L87
CMLT5088E: DUAL, NPN: L88
Enhanced specification.
Additional Enhanced specification.
SOT-563 CASE
R3 (20-January 2010)
www.centra lsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CMLT7820G | |
| CMNT3906E | |
| CMNT3904E | |
| CMPT2222AE | |
| CMPT2907AE | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CMLT5088E TR | 功能描述:TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT-563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:2 NPN（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 100μA，5V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 |
| CMLT5088EM | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT DUAL, MATCHED NPN SILICON TRANSISTORS |
| CMLT5088EM TR | 功能描述:TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT-563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:2 NPN（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:400mV @ 10mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 |
| CMLT5551 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Dual NPN Small Sgnl High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMLT5551 TR | 功能描述:TRANS 2NPN 160V 0.6A SOT-563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 晶体管类型:2 NPN（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:200mV @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:1 |
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