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参数资料
| 型号： | CMPTA42E |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 中文描述： | 500 mA, 350 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 327K |
| 代理商： | CMPTA42E |
CMPTA42E NPN
CMPTA92E PNP
ENHANCED SPECIFICATION
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY
HIGH VOLTAGE
SILICON TRANSISTORS
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTA42E and
CMPTA92E are Enhanced versions of the CMPTA42
and CMPTA92 complementary surface mount high
voltage transistors.
MARKING CODES: CMPTA42E: C1DE
CMPTA92E: C2DE
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C)
SYMBOL
UNITS
Collector-Base Voltage
VCBO
350
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
350
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6.0
V
Continuous Collector Current
IC
500
mA
Power Dissipation
PD
350
mW
Operating and Storage Junction Temperature
TJ, Tstg
-65 to +150
°C
Thermal Resistance
ΘJA
357
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C unless otherwise noted)
TYP
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
CMPTA42E
CMPTA92E
MAX
UNITS
ICBO
VCB=200V
250
nA
IEBO
VEB=3.0V
100
nA
BVCBO
IC=100A
350
590
500
V
BVCEO
IC=1.0mA
350
475
450
V
BVEBO
IE=100A
6.0
8.7
9.6
V
VCE(SAT) IC=50mA, IB=5.0mA
125
150
350
mV
VBE(SAT)
IC=20mA, IB=2.0mA
0.9
V
hFE
VCE=10V, IC=1.0mA
50
110
105
hFE
VCE=10V, IC=10mA
50
110
105
hFE
VCE=10V, IC=30mA
50
110
105
fT
VCE=20V, IC=10mA, f=100MHz
50
75
MHz
Cob
VCB=20V, IE=0, f=1.0MHz
6.0
pF
FEATURED ENHANCED SPECIFICATIONS:
BVCBO from 300V min to 350V min.
BVCEO from 300V min to 350V min.
hFE from 25 min to 50 min.
Enhanced specification
SOT-23 CASE
R3 (3-February 2010)
www.centra lsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CMPTA92E | |
| CMPTA56TR | |
| CMPTA06TR | |
| CMPTA92 | |
| CMRA2455-10 | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CMPTA42E TR | 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR 功能描述:CMPTA42E Series 6 V 500 mA NPN SMT Complementary Silicon Transistor - SOT-23 |
| CMPTA42NPN | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:SILICON COMPLEMENTARY HIGH VOLTAGE TRANSISTOR |
| CMPTA44 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMPTA44 TR | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMPTA44_10 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT EXTREMELY HIGH VOLTAGE NPN SILICON TRANSISTOR |
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