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参数资料
| 型号： | CPC5602C |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223 |
| 标准包装： | 200 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 350V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 欧姆 @ 50mA，350mV |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 0V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 管件 |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
Absolute Maximum Ratings @ 25oC
CPC5602
Parameter
Drain-to-Source Voltage (V DS )
Gate-to-Source Voltage (V GS )
Total Package Dissipation
Operational Temperature
Storage Temperature
Ratings
350
±20
2.5
-40 to +85
-40 to +125
Units
V
V
W
o C
o C
Absolute Maximum Ratings are stress ratings. Stresses in
excess of these ratings can cause permanent damage to the
device. Functional operation of the device at conditions beyond
those indicated in the operational sections of this data sheet is
not implied.
Electrical Characteristic s @25 o C (Unless Otherwise Specified)
Parameter
Gate-to-Source Off Voltage
Drain-to-Source Leakage Current
Drain Current
On-Resistance
Gate Leakage Current
Gate Capacitance
Symbol
V GS(off)
I DS(off)
I D
R DS(on)
I GSS
C ISS
Conditions
I D = 2μA, V DS =10V, V DS =100V
V GS = -5V, V DS =190V
V GS = -5V, V DS =350V
V GS = -2.7V, V DS =5V, V DS =50V
V GS = -0.57V, V DS =5V
V GS = -0.35V, I DS =50mA
V GS =10V, V GS =-10V
V DS = V GS =0V
Min
-3.6
-
-
-
130
-
-
-
Typ
-2.62
-
-
-
-
8
-
-
Max
-2
20
1
5
-
14
0.1
300
Units
V
nA
? A
mA
mA
?
? A
pF
Thermal Characteristics
Parameter
Thermal Resistance
Symbol
R ? JC
Conditions
-
Min
-
Typ
-
Max
14
Units
oC/W
2
www.ixysic.com
R09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPC5603C | MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223 |
| CPDETLS-4000 | RF POWER DETECTOR IN-LINE SMA |
| CPH3348-TL-E | MOSFET P-CH 12V 3A CPH3 |
| CPH3350-TL-H | MOSFET P-CH 20V 3A CPH3 |
| CPH3351-TL-H | MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPC5602CTR | 功能描述:MOSFET N Channel Depletion Mode FET, T/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| CPC5603 | 制造商:CLARE 制造商全称:Clare, Inc. 功能描述:N-Channel Depletion Mode FET |
| CPC5603_12 | 制造商:CLARE 制造商全称:Clare, Inc. 功能描述:N-Channel Depletion Mode FET |
| CPC5603C | 功能描述:MOSFET N Channel Depletion Mode FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| CPC5603CTR | 功能描述:MOSFET N Channel Depletion Mode FET, T/R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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