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参数资料
| 型号： | CPH3348-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 3A CPH3 |
| 产品目录绘图： | CHP3 Package P-Channel & N-Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 405pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-96 |
| 供应商设备封装： | 3-CPH |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1536 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1130-6 |
Ordering number : ENA0922A
CPH3348
P-Channel Power MOSFET
–12V, –3A, 70m Ω , Single CPH3
Features
http://onsemi.com
?
?
Ultrahigh-speed switching
1.8V drive
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
--12
±10
--3
Unit
V
V
A
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
IDP
PD
Tch
Tstg
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
When mounted on ceramic substrate (1200mm 2 × 0.8mm)
--12
1.0
150
--55 to +150
A
W
°C
°C
This product is designed to “ESD immunity < 200V * ”, so please take care when handling.
* Machine Model
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7015A-004
Product & Package Information
? Package : CPH3
? JEITA, JEDEC : SC-59, TO-236, SOT-23
? Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
2.9
0.15
CPH3348-TL-E
Packing Type: TL
Marking
3
0.05
TL
1
0.95
2
0.4
1 : Gate
2 : Source
Electrical Connection
3 : Drain
3
CPH3
1
2
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
61312 TKIM/91907PE TIIM TC-00000901 No. A0922-1/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPH3350-TL-H | MOSFET P-CH 20V 3A CPH3 |
| CPH3351-TL-H | MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3 |
| CPH3356-TL-H | MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3 |
| CPH3360-TL-H | MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 |
| CPH3448-TL-H | MOSFET N-CH 30V 4A CPH3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPH3348-TL-W | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:405pF @ 6V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 |
| CPH3350 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH3350_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH3350-TL-H | 功能描述:MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| CPH3350-TL-W | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PCH 1.8V DRIVE SERIES - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / PCH 1.8V DRIVE SERIES |
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