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参数资料
| 型号： | CPH3348-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 3A CPH3 |
| 产品目录绘图： | CHP3 Package P-Channel & N-Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 70 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 405pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-96 |
| 供应商设备封装： | 3-CPH |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1536 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1130-6 |
CPH3348
--3
ID -- VDS
--4
ID -- VGS
VDS= --6V
--3
--2
V GS= --1
.5V
--2
--1
--1
0
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
300
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT12598
Ta=25°C
200
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT12599
250
VGS
--1.8V
--0.
200
--0.8A
150
=
, I D=
3A
= --0.8
V, I D
V GS=
= --1.5A
V GS= --
150
100
ID= --0.3A
--1.5A
100
--2.5
4.5V, I D
A
50
50
0
0
0
--2
--4
--6
--8
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
10
7
| y fs | -- ID
IT12600
VDS= --6V
--10
7
5
VGS=0V
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT12601
5
3
2
a=
--2
° C
3
2
T
5 °
C
75
--1.0
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
25
° C
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
0.1
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
7
5
VDD= --6V
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT12602
1000
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT12603
f=1MHz
3
VGS= --4.5V
7
2
100
5
Ciss
7
5
3
2
td(off)
tf
3
2
Coss
10
7
tr
td(on)
100
Crss
5
7
3
2
5
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
Drain Current, ID -- A
IT12604
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT12605
No. A0922-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPH3350-TL-H | MOSFET P-CH 20V 3A CPH3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPH3348-TL-W | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 3A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 漏源极电压（Vdss）:12V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:5.6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:405pF @ 6V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:1 |
| CPH3350 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH3350_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH3350-TL-H | 功能描述:MOSFET PCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| CPH3350-TL-W | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PCH 1.8V DRIVE SERIES - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / PCH 1.8V DRIVE SERIES |
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