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参数资料
| 型号： | CPC5603C |
| 厂商： | IXYS Integrated Circuits Division |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 415V 5MA SOT-223 |
| 标准包装： | 200 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 耗尽模式 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 415V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 欧姆 @ 50mA，350mV |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 0V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | CLA220 |
I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
Performance Data*
CPC5603
Output Characteristics
On-Resistance vs. Drain Current
Transconductance vs Drain Current
0.35
0.30
V GS =-0.5
V GS =-1
(T A =25oC)
20
(V GS =0V)
300
250
T A =-40oC
T A =25oC
(V DS =10V)
0.25
V GS =-1.5
V GS =-2
15
200
T A =125oC
0.20
0.15
10
150
0.10
0.05
0.00
5
0
100
50
0
0
1
2
3
4
5
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
50
100
150
V DS (V)
Transfer Characteristics
I D (A)
V GS(off) vs. Temperature
I D (mA)
On-Resistance vs. Temperature
250
200
150
(V DS =10V)
T A =125oC
T A =25oC
T A =-40oC
-2.3
-2.4
-2.5
-2.6
(V DS =10V, I D =2 A)
12
11
10
9
8
(V GS =0V, I D =100mA)
100
50
0
-2.7
-2.8
-2.9
-3.0
7
6
5
4
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-40
-20
0
20 40 60
80
100
-40
-20
0
20 40 60
80
100
V GS (V)
Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Temperature (oC)
Power Dissipation
Temperature (oC)
Forward Safe Operating Bias
300
(V GS =-5V)
4.0
vs. Ambient Temperature
1
(V GS =0V, DC Load, T C =25oC)
250
200
150
C ISS
C OSS
C RSS
3.5
3.0
2.5
2.0
0.1
Limited by
Limited by
Device Channel
Saturation
100
1.5
0.01
Device R DS(on)
1.0
50
0.5
0
0
0.001
0
5
10
15
20
25
30
0
20
40
60
80
100 120
140
160
1
10
100
1000
V DS (V)
Temperature (oC)
V DS (V)
*The Performance data shown in the graphs above is typical of device performance. For guaranteed parameters not indicated in the written specifications, please contact our application
department.
R07
www.ixysic.com
3
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