参数资料
| 型号： | CS2841BEDR14G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR BST FLYBK CM 14SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Jun/2009 |
| 标准包装： | 1 |
| PWM 型： | 电流模式 |
| 输出数： | 1 |
| 频率 - 最大： | 52kHz |
| 占空比： | 95% |
| 电源电压： | 7.8 V ~ 25 V |
| 降压： | 无 |
| 升压： | 是 |
| 回扫： | 是 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | CS2841BEDR14GOSCT |
CS2841B
tc + RTCT ln
VREF * Vlower
VREF * Vupper
The frequency and maximum duty cycle can be
determined from the Typical Performance Characteristic
graphs.
td + RTCT ln
VREF * IdRT * Vupper
VREF * IdRT * Vlower
Grounding
High peak currents associated with capacitive loads
Substituting in typical values for the parameters in the
above formulas:
VREF + 5.0 V
Vupper + 2.7 V
Vlower + 1.0 V
Id + 8.3 mA
tc [ 0.5534RTCT
necessitate careful grounding techniques. Timing and
bypass capacitors should be connected close to GND pin in
a single point ground.
The transistor and 5.0 k W potentiometer are used to
sample the oscillator waveform and apply an adjustable
ramp to Sense.
td + RTCT ln
2.3 * 0.0083RT
4.0 * 0.0083RT
VPR
GND
C1
68 m F
C2
68 m F
C3
4.7 pF
100 V
Q1
2n4401
R1
4.7 k
DZ1
13 V
MURS120T3
D1
R2
47
20T D2 MBR360
9T
C4
0.1 m F
L1 2.2 m H
C5
1000 m F
C6
1000 m F
C7
0.1 m F
V CC
V CC -GND
1N5243B
V CC = 5.0 V @ 750 mA
VC
C8
10 m F
C9
0.1 m F
R3
4.99 k
Q2
V CC
V REF
PV CC
V OUT
1.0 %
C12
R4
10
MTDISN06VTL4
C10
0.1 m F
R5
2.0 k
CS2841B
SENSE
10 nF
R6
1.0 k
OSC
COMP
R7
C11
C13
4.7 nF
GND
PGND V FB
R8
4.99 k
1.0 %
22.1 k 0.33 m F
C14
47 pF
R9
0.2
1.0 %
Figure 8. Flyback Application
http://onsemi.com
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