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参数资料
| 型号： | CS5513-BSZ |
| 厂商： | Cirrus Logic Inc |
| 文件页数： | 22/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ADC 20BIT INTERNAL OSC 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 位数： | 20 |
| 采样率（每秒）： | 326 |
| 数据接口： | 串行 |
| 转换器数目： | 1 |
| 功率耗散（最大）： | 2.7mW |
| 电压电源： | 双 ± |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
| 输入数目和类型： | 1 个差分，双极 |
| 产品目录页面： | 755 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 598-1707 |
CS5510/11/12/13
DS337F4
5
ANALOG CHARACTERISTICS (Continued)
Notes: 8. VREF is referenced to V- and must be less than or equal to V+.
9. Due to current through the CS pin, IV+ and IV- may not always be the same value.
10. All outputs unloaded. All inputs CMOS levels (> (V+ - 0.6 V) or < (V- + 0.6 V)).
11. CS must be inactive (logic high) during sleep to meet this power specification.
DIGITAL CHARACTERISTICS
Notes: 12. All measurements performed under static conditions.
13. VL1 is 0.5 (V+ - V-) + 0.6 V + V-.
14. The CS signal provides the sink current path for the SDO pin when CS is low. The external drive logic
to CS, therefore, must be able to handle the logic-low current drive levels for all devices attached to
SDO. The voltage specified for SDO is relative to CSLow. See Section 2.3.1, “Digital Logic Levels” and
Figure 11 for more details.
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
Voltage Reference Input
Range
{(VREF) - (V-)}
(Note 8) 0.250
2.5
(V+) - (V-)
V
Input Capacitance
-
7
-
pF
CVF current
-
6
-
nA
Power Supplies
Supply Voltages
{(V+) - (V-)}
4.75
5
5.25
V
DC Power Supply Currents
(Note 9)
IV+
CS5510
CS5511
CS5512
CS5513
IV-
CS5510
CS5511
CS5512
CS5513
-
275
290
360
385
275
290
360
385
360
380
470
500
360
380
470
500
A
Power Consumption
(Note 10)
CS5510
CS5511
CS5512
CS5513
Sleep
(Note 11)
-
1.4
1.5
1.8
1.9
10
1.9
2.0
2.5
2.7
-
mW
W
Power Supply Rejection
dc Positive Supply
dc Negative Supply
-
85
-
dB
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
High-Level Input Voltage:
CS and SCLK
VIH
V+ - 0.45
-
V
Low-Level Input Voltage:
(Note 13) CS
SCLK
CSLow
VIL
-
VL1
V
Input Current:
(Note 14) CS
ICS
-
-1.0
mA
High-Level Output Voltage:
SDO, Isource = 5.0mA
VOH
(V+) - 0.6
-
V
Low-Level Output Voltage:
VOL
--
(CSLow) + 0.6
V
Input Leakage Current
SCLK
Iin
-
±0.015
±10
A
3-State Leakage Current
SCLK
IOZ
--
±10
A
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