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参数资料
| 型号： | CTLM1074-M832D |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 中文描述： | 1 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封装： | 3 x 2 mm, ROHS COMPLIANT, 8 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 236K |
| 代理商： | CTLM1074-M832D |
Central
Semiconductor Corp.
TM
CTLM1074-M832D
MULTI DISCRETE MODULE
SURFACE MOUNT
LOW VCE (SAT) SILICON PNP TRANSISTOR
AND
LOW VF SILICON SCHOTTKY RECTIFIER
R1 (22-July 2008)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Q1 (Continued):
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
VCE(SAT)
IC=200mA, IB=20mA
80
150
mV
VCE(SAT)
IC=500mA, IB=50mA
150
250
mV
VCE(SAT)
IC=800mA, IB=80mA
220
400
mV
VCE(SAT)
IC=1.0A, IB=100mA
275
450
mV
VBE(SAT)
IC=800mA, IB=80mA
1.1
V
VBE(ON)
VCE=1.0V, IC=10mA
0.9
V
hFE
VCE=1.0V, IC=10mA
100
hFE
VCE=1.0V, IC=100mA
100
300
hFE
VCE=1.0V, IC=500mA
100
hFE
VCE=1.0V, IC=1.0A
50
fT
VCE=10V, IC=50mA, f=100MHz
100
MHz
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
15
pF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS D1: (TA=25°C)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
IR
VR= 5V
10
μA
IR
VR= 8V
20
μA
IR
VR= 15V
50
μA
BVR
IR= 100μA
40
V
VF
IF= 10mA
0.29
V
VF
IF= 100mA
0.36
V
VF
IF= 500mA
0.45
V
VF
IF= 1.0A
0.55
V
CJ
VR= 4.0V, f=1.0MHz
50
pF
TLM832D - MECHANICAL OUTLINE
Suggested mounting pad layout
for maximum power dissipation
(Dimensions in mm)
For standard mounting refer
to TLM832D Package Details
LEAD CODE:
1) BASE Q1
2) EMITTER Q1
3) ANODE D1
4) ANODE D1
5) CATHODE D1
6) CATHODE D1
7) COLLECTOR Q1
8) COLLECTOR Q1
MARKING CODE: CFD
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CTLM3474-M832D | |
| CTLM3410-M832D | |
| CTLM7410-M832D | |
| CWA2490H | |
| CWA4850H | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CTLM1074-M832D_10 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON LOW VCE(SAT) PNP TRANSISTOR AND LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER |
| CTLM3410-M832D | 功能描述:两极晶体管 - BJT SMD Small Signal Transistor Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| CTLM3474-M832D | 功能描述:两极晶体管 - BJT Small Sig Transistor Dual NPN & PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| CTLM7110-M832D | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON MOSFET AND LOW VF SILICON SCHOTTKY RECTIFIER |
| CTLM7410-M832D | 功能描述:两极晶体管 - BJT SMD Small Signal Transistor Dual NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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