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参数资料
| 型号： | CY7C057V-12AXC |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 3.3V 16K/32K x 36 FLEx36™ Asynchronous Dual-Port Static |
| 中文描述： | 32K X 36 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PQFP144 |
| 封装： | 20 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TQFP-144 |
| 文件页数： | 25/26页 |
| 文件大小： | 713K |
| 代理商： | CY7C057V-12AXC |
CY7C056V
CY7C057V
Document #: 38-06055 Rev. *E
Page 8 of 26
Notes
8. Deselection for a port occurs if CE0 is HIGH or if CE1 is LOW.
9. fMAX = 1/tRC = All inputs cycling at f = 1/tRC (except Output Enable). f = 0 means no address or control lines change. This applies only to inputs at CMOS level standby ISB3.
10. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
Electrical Characteristics Over the Operating Range[8]
Parameter
Description
CY7C056V
CY7C057V
Unit
-12
-15
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
VOH
Output HIGH voltage
(VDD = Min., IOH = –4.0 mA)
2.4
–
2.4
–
–V
VOL
Output LOW voltage
(VDD = Min., IOL = +4.0 mA)
–0.4
–
0.4
V
VIH
Input HIGH voltage
2.0
–
2.0
–
V
VIL
Input LOW voltage
–
0.8
–
0.8
V
IOZ
Output leakage current
–10
10
–10
10
A
ICC
Operating current (VDD = Max.,
IOUT = 0 mA) output disabled
Commercial
–
250
385
–
240
360
mA
Industrial
–
265
385
mA
ISB1
Standby current (Both ports TTL level
and deselected)
f = fMAX
Commercial
55
75
50
70
mA
Industrial
–65
95
mA
ISB2
Standby current (One port TTL
level and deselected)
f = fMAX
Commercial
180
240
175
230
mA
Industrial
–
190
255
mA
ISB3
Standby current (Both ports CMOS
level and deselected) f =0
Commercial
0.01
1
0.01
1
mA
Industrial
–
0.01
1
mA
ISB4
Standby current (One Port CMOS
level and deselected) f = fMAX[9]
Commercial
160
210
155
200
mA
Industrial
–
170
215
mA
Capacitance[10]
Parameter
Description
Test Conditions
Max
Unit
CIN
Input capacitance
TA = 25 C, f = 1 MHz,
VDD = 3.3 V
10
pF
COUT
Output capacitance
10
pF
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY7C057V-12AXCT | 功能描述:IC SRAM 1.152MBIT 12NS 144LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
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| CY7C057V-15AC | 功能描述:IC SRAM 1.152MBIT 15NS 144LQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:70ns 接口:并联 电源电压:2.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 |
| CY7C057V-15AI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Async Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 15ns 144-Pin TQFP |
| CY7C057V-15AXC | 功能描述:静态随机存取存储器 3.3V 16Kx36 Aync COM FLEx36 DualPort 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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