参数资料
型号: CY7C057V-12AXC
厂商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: SRAM
英文描述: 3.3V 16K/32K x 36 FLEx36™ Asynchronous Dual-Port Static
中文描述: 32K X 36 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PQFP144
封装: 20 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TQFP-144
文件页数: 4/26页
文件大小: 713K
代理商: CY7C057V-12AXC
CY7C056V
CY7C057V
Document #: 38-06055 Rev. *E
Page 12 of 26
Switching Waveforms
Notes
25. R/W is HIGH for read cycles.
26. Device is continuously selected. CE0 = VIL, CE1=VIH, and B0, B1, B2, B3, WA, BA are valid. This waveform cannot be used for semaphore reads.
27. OE = VIL.
28. Address valid prior to or coinciding with CE0 transition LOW and CE1 transition HIGH.
29. To access RAM, CE0 = VIL, CE1=VIH, B0, B1, B2, B3, WA, BA are valid, and SEM = VIH. To access semaphore, CE0 = VIH, CE1=VIL and SEM = VIL or CE0
and SEM=VIL, and CE1= B0 = B1 = B2 = B3, =VIH.
tRC
tAA
tOHA
DATA VALID
PREVIOUS DATA VALID
DATA OUT
ADDRESS
tOHA
Read Cycle No. 1 (Either Port Address Access)[25, 26, 27]
tACE
tLZOE
tDOE
tHZOE
tHZCE
DATA VALID
tLZCE
tPU
tPD
ISB
ICC
DATA OUT
B2, B3, WA, BA
CE0, CE1, B0,B1,
CURRENT
Read Cycle No. 2 (Either Port CE/OE Access)[25, 28, 29]
SELECT VALID
OE
DATA OUT
tRC
ADDRESS
tAA
tOHA
CE0, CE1
tLZCE
tABE
tHZCE
tACE
tLZCE
Read Cycle No. 3 (Either Port)[25, 27, 28, 29]
B0, B1, B2,
B3, WA, BA
BYTE SELECT VALID
CHIP SELECT VALID
相关PDF资料
PDF描述
CY7C057V-15BBXC 3.3V 16K/32K x 36 FLEx36™ Asynchronous Dual-Port Static
CY7C057V-15AXI 3.3V 16K/32K x 36 FLEx36™ Asynchronous Dual-Port Static
CY7C057V-15AXC 3.3V 16K/32K x 36 FLEx36™ Asynchronous Dual-Port Static
CY7C0832V-167AXC 256K X 18 DUAL-PORT SRAM, 4 ns, PQFP120
CY7C0851AV-133AXC FLEx36™ 3.3V 32K/64K/128K/256K x 36 Synchronous Dual-Port RAM
相关代理商/技术参数
参数描述
CY7C057V-12AXCT 功能描述:IC SRAM 1.152MBIT 12NS 144LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2
CY7C057V-12BBC 功能描述:静态随机存取存储器 3.3V 16Kx36 Aync COM FLEx36 DualPort 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
CY7C057V-15AC 功能描述:IC SRAM 1.152MBIT 15NS 144LQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:96 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:70ns 接口:并联 电源电压:2.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘
CY7C057V-15AI 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:SRAM Chip Async Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 15ns 144-Pin TQFP
CY7C057V-15AXC 功能描述:静态随机存取存储器 3.3V 16Kx36 Aync COM FLEx36 DualPort 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray