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参数资料
| 型号： | CY7C109BL-15VC |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 128K x 8 Static RAM |
| 中文描述： | 128K X 8 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO32 |
| 封装： | 0.400 INCH, SOJ-32 |
| 文件页数： | 2/10页 |
| 文件大小： | 367K |
| 代理商： | CY7C109BL-15VC |
CY7C109B
CY7C1009B
Document #: 38-05038 Rev. *C
Page 10 of 10
Document History Page
Document Title: CY7C109B/CY7C1009B 128K x 8 Static RAM
Document Number: 38-05038
REV.
ECN NO.
Issue
Date
Orig. of
Change
Description of Change
**
106832
09/22/01
SZV
Change from Spec number: 38-00971 to 38-05038
*A
116467
09/16/02
CEA
Added applications foot note to data sheet, page 1
*B
397875
See ECN
NXR
Changed address of Cypress Semiconductor Corporation on Page# 1 from
“3901 North First Street” to “198 Champion Court”
Updated the Ordering Information Table on page 7
*C
493543
See ECN
NXR
Removed 25 ns and 35 ns speed bin from product offering
Added note# 2 on page# 1
Changed the description of IIX from Input Load Current to
Input Leakage Current in DC Electrical Characteristics table
Removed IOS parameter from DC Electrical Characteristics table
Updated the Ordering Information Table
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C109BL-15VI | 128K x 8 Static RAM |
| CY7C109BL-15ZC | 128K x 8 Static RAM |
| CY7C1157V18-333BZC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1157V18-333BZI | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
| CY7C1157V18-333BZXC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY7C109BN-12VC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C109BN-12ZC | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C109BN-12ZXC | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
| CY7C109BN-12ZXCT | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
| CY7C109BN-15VC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
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