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参数资料
型号： CY7C109BL-15ZC
厂商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分类： SRAM
英文描述： 128K x 8 Static RAM
中文描述： 128K X 8 STANDARD SRAM, 15 ns, PDSO32
封装： 8 X 20 MM, TSOP1-32
文件页数： 6/12页
文件大小： 221K
代理商： CY7C109BL-15ZC
CY7C109B
CY7C1009B
Document #: 38-05038 Rev. *A
Page 3 of 12
Electrical Characteristics Over the Operating Range (continued)
7C109B-20
7C1009B-20
7C109B-25
7C1009B-25
7C109B-35
7C1009B-35
Parameter
Description
Test Conditions
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
VOH
Output HIGH Voltage
VCC = Min.,
IOH = –4.0 mA
2.4
V
VOL
Output LOW Voltage
VCC = Min.,
IOL = 8.0 mA
0.4
V
VIH
Input HIGH Voltage
2.2
VCC
+ 0.3
2.2
VCC
+ 0.3
2.2
VCC
+ 0.3
V
VIL
Input LOW Voltage[2]
–0.3
0.8
–0.3
0.8
–0.3
0.8
V
IIX
Input Load Current
GND < VI < VCC
–1+1
A
IOZ
Output Leakage
Current
GND < VI < VCC,
Output Disabled
–5+5
A
IOS
Output Short
Circuit Current[3]
VCC = Max.,
VOUT = GND
–300
mA
ICC
VCC Operating
Supply Current
VCC = Max.,
IOUT = 0 mA,
f = fMAX = 1/tRC
75
70
60
mA
ISB1
Automatic CE
Power-Down Current
—TTL Inputs
Max. VCC, CE1 > VIH
or CE2 < VIL,
VIN > VIH or
VIN < VIL, f = fMAX
30
25
mA
ISB2
Automatic CE
Power-Down Current
—CMOS Inputs
Max. VCC,
CE1 > VCC – 0.3V,
or CE2 < 0.3V,
VIN > VCC – 0.3V,
or VIN < 0.3V, f = 0
10
mA
L2
——
mA
Capacitance[4]
Parameter
Description
Test Conditions
Max.
Unit
CIN
Input Capacitance
TA = 25°C, f = 1 MHz,
VCC = 5.0V
9pF
COUT
Output Capacitance
8
pF
AC Test Loads and Waveforms
Note:
4.
Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
90%
10%
3.0V
GND
90%
10%
ALL INPUT PULSES
5V
OUTPUT
30 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
5V
OUTPUT
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
≤ 3 ns
OUTPUT
R1 480
R1 480
R2
255
R2
255
167
Equivalent to:
VENIN EQUIVALENT
1.73V
TH
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