参数资料
型号: CY7C1472BV25-250BZXI
厂商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: SRAM
英文描述: 4M X 18 ZBT SRAM, 3 ns, PBGA165
封装: 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-165
文件页数: 8/29页
文件大小: 884K
代理商: CY7C1472BV25-250BZXI
CY7C1470BV25
CY7C1472BV25, CY7C1474BV25
Document #: 001-15032 Rev. *D
Page 16 of 29
2.5V TAP AC Test Conditions
Input pulse levels................................................. VSS to 2.5V
Input rise and fall time .....................................................1 ns
Input timing reference levels......................................... 1.25V
Output reference levels ................................................ 1.25V
Test load termination supply voltage ............................ 1.25V
Note
11. All voltages refer to VSS (GND).
Figure 5. 2.5V TAP AC Output Load Equivalent
TDO
1.25V
20pF
Z = 50
Ω
O
50
Ω
TAP DC Electrical Characteristics And Operating Conditions
(0°C < TA < +70°C; VDD = 2.5V ±0.125V unless otherwise noted)
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Max
Unit
VOH1
Output HIGH Voltage
IOH = –1.0 mA, VDDQ = 2.5V
1.7
V
VOH2
Output HIGH Voltage
IOH = –100 μA, VDDQ = 2.5V
2.1
V
VOL1
Output LOW Voltage
IOL = 1.0 mA, VDDQ = 2.5V
0.4
V
VOL2
Output LOW Voltage
IOL = 100 μA, VDDQ = 2.5V
0.2
V
VIH
Input HIGH Voltage
VDDQ = 2.5V
1.7
VDD + 0.3
V
VIL
Input LOW Voltage
VDDQ = 2.5V
–0.3
0.7
V
IX
Input Load Current
GND
≤ V
I ≤ VDDQ
–5
5
μA
Table 6. Identification Register Definitions
Instruction Field
CY7C1470BV25
(2M x 36)
CY7C1472BV25
(4M x 18)
CY7C1474BV25
(1M x 72)
Description
Revision Number (31:29)
000
Describes the version number
Device Depth (28:24)
01011
Reserved for internal use
Architecture/Memory Type(23:18)
001000
Defines memory type and archi-
tecture
Bus Width/Density(17:12)
100100
010100
110100
Defines width and density
Cypress JEDEC ID Code (11:1)
00000110100
Allows unique identification of
SRAM vendor
ID Register Presence Indicator (0)
1
Indicates the presence of an ID
register
Table 7. Scan Register Sizes
Register Name
Bit Size (x36)
Bit Size (x18)
Bit Size (x72)
Instruction
3
Bypass
1
ID
32
Boundary Scan Order–165FBGA
71
52
Boundary Scan Order–209BGA
110
相关PDF资料
PDF描述
CY7C164-15PC 16K x 4 Static RAM
CY7C164-25PC 16K x 4 Static RAM
CY7C164-15VC 16K x 4 Static RAM
CY7C164-20PC 16K x 4 Static RAM
CY7C164-20VC 16K x 4 Static RAM
相关代理商/技术参数
参数描述
CY7C1472BV33-167AXI 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 3.3v 167MHz 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
CY7C1472BV33-167BZC 功能描述:静态随机存取存储器 4Mx18,3.3V NoBL PL 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
CY7C1472BV33-167BZCT 功能描述:静态随机存取存储器 4Mx18,3.3V NoBL PL 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
CY7C1472BV33-167ZXI 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1472BV33-200AXC 功能描述:静态随机存取存储器 4Mx18,3.3V NoBL PL 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray