- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录378509 > CY7C1481V25-100AXC (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP) 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM PDF资料下载
参数资料
| 型号： | CY7C1481V25-100AXC |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
| 中文描述： | 2M X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100 |
| 封装： | 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, MS-026, TQFP-100 |
| 文件页数： | 20/30页 |
| 文件大小： | 1028K |
| 代理商： | CY7C1481V25-100AXC |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页当前第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页
CY7C1481V25
CY7C1483V25
CY7C1487V25
Document #: 38-05281 Rev. *H
Page 20 of 30
Capacitance
[15]
Parameter
Description
Test Conditions
100 TQFP
Package
165 FBGA
Package
209 FBGA
Package
Unit
C
ADDRESS
C
DATA
C
CTRL
C
CLK
C
I/O
Address Input Capacitance
T
A
= 25
°
C, f = 1 MHz,
V
DD
= 2.5V
V
DDQ
= 2.5V
6
6
6
pF
Data Input Capacitance
5
5
5
pF
Control Input Capacitance
8
8
8
pF
Clock Input Capacitance
6
6
6
pF
Input/Output Capacitance
5
5
5
pF
Thermal Resistance
[15]
Parameter
Description
Test Conditions
100 TQFP
Package
165 FBGA
Package
209 FBGA
Package
Unit
Θ
JA
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Test conditions follow
standard test methods and
procedures for measuring
thermal impedance, per
EIA/JESD51.
24.63
16.3
15.2
°
C/W
Θ
JC
Thermal Resistance
(Junction to Case)
2.28
2.1
1.7
°
C/W
Note
15.Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
AC Test Loads and Waveforms
OUTPUT
R = 1667
R = 1583
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
L
= 1.25V
2.5V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
GND
90%
10%
90%
10%
≤
1 ns
≤
1 ns
(c)
OUTPUT
R = 14K
R =14K
5 pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
(a)
(b)
OUTPUT
R
L
= 50
Z
0
= 50
V
L
= 0.9V
1.8V
ALL INPUT PULSES
V
DDQ
-0.2
0.2
90%
10%
90%
10%
≤
1 ns
≤
1 ns
(c)
2.5V I/O Test Load
1.8V I/O Test Load
[+] Feedback
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1481V25-100AXI | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
| CY7C1481V25-100BZC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
| CY7C1481V25-100BZI | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
| CY7C1481V25-100BZXC | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
| CY7C1481V25-100BZXI | 72-Mbit (2M x 36/4M x 18/1M x 72) Flow-Through SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY7C1481V33-100AXI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1482BV33-200BZI | 功能描述:静态随机存取存储器 72MB (4Mx18) 4.6v 200MHz 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C1482BV33-250BZI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:2MX36, 3.3V SYNC PL SRAM - Bulk |
| CY7C148-35PC | 功能描述:1KX4 18-PIN POWER-DOWN SRAM RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
| CY7C148-45DC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:Static RAM, 1Kx4, 18 Pin, Ceramic, DIP |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。