DFE201612E-1R0M=P2全国供应商【买卖IC网】DFE201612E-1R0M=P2资料|PDF Datasheet|价格 Murata

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型号
供应商
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封装
批号
价格
说明
操作

DFE201612E-1R0M=P2
深圳市佳鑫特电子有限公司
深圳市佳鑫特电子有限公司
联系人：陈
电话：134105056520755-83512964
地址：深圳市福田区佳和大厦B座2311
234000
MURATA假一赔万
-
MURATA假一赔万

DFE201612E-1R0M=P2
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
100
MURATA
con
#N/A
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

DFE201612E-1R0M=P2
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
6787
MURATA/村田
SMD
23+
-
原厂原装正品现货

DFE201612E-1R0M=P2
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：林S
电话：400-666-5385
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
500000
MURATA/村田
SMD
最新年份
-
长期代理优势供应可开增值税

DFE201612E-1R0M=P2
林沃田信息技术(深圳)有限公司
林沃田信息技术(深圳)有限公司
联系人：岳先生田小姐
电话：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田区福田街道福南社区深南中路 3037号南光捷佳大厦2906
资质：营业执照
10798
Murata Electronics North
FIXED IND 1UH 2.9A 4
22+
-

DFE201612E-1R0M=P2
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
2880
MURATA
C24-电感器
20220110
-

DFE201612E-1R0M=P2
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
联系人：李先生
电话：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦C座6C3
资质：营业执照
3000
Murata
2127
-

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DFE201612E-1R0M=P2 PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

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功能描述
FIXED IND 1UH 2.9A 48 MOHM SMD
制造商
murata electronics north america
系列
DFE201612E
包装
剪切带（CT）
零件状态
在售
类型
绕线
材料 - 磁芯
金属
电感
1μH
容差
±20%
额定电流
2.9A
电流 - 饱和值
4A
屏蔽
屏蔽
DC 电阻（DCR）
48 毫欧最大
不同频率时的 Q 值
-
等级
-
工作温度
-40°C ~ 125°C
频率 - 测试
1MHz
特性
-
安装类型
表面贴装
封装/外壳
0806（2016 公制）
供应商器件封装
0806（2016 公制）
大小/尺寸
0.079" 长 x 0.063" 宽（2.00mm x 1.60mm）
高度 - 安装（最大值）
0.047"（1.20mm）
标准包装
1

DFE201612E-1R0M=P2 技术参数

DFE201610R-H-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 3.8A 26 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:470nH 容差:±20% 额定电流:3.8A 电流 - 饱和值:5.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:26 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE201610R-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 168 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:1.4A 电流 - 饱和值:2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:168 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE201610R-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 110 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:1.8A 电流 - 饱和值:2.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:110 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE201610R-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 70 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1μH 容差:±20% 额定电流:2.2A 电流 - 饱和值:3.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:70 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE201610P-R68M=P2 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 48 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610P 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:680nH 容差:±20% 额定电流:2.7A 电流 - 饱和值:3.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:48 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE201612R-H-2R2M=P2 DFE201612R-H-R47M=P2 DFE252008C-1R0M=P2 DFE252008C-1R5M=P2 DFE252008C-2R2M=P2 DFE252008C-3R3M=P2 DFE252008C-4R7M=P2 DFE252008C-R47M=P2 DFE252010F-100M=P2 DFE252010F-1R0M=P2 DFE252010F-1R5M=P2 DFE252010F-2R2M=P2 DFE252010F-3R3M=P2 DFE252010F-4R7M=P2 DFE252010F-6R8M=P2 DFE252010F-8R2M=P2 DFE252010F-R33M=P2 DFE252010F-R47M=P2

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