DFE201612R-H-1R5M=P2

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DFE201612R-H-1R5M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
Murata Electronics North
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

DFE201612R-H-1R5M=P2
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
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TOKO
SMD
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功能描述
1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2A 94 mOhm Max
制造商
murata electronics north america
系列
DFE201612R
包装
*
零件状态
新产品
类型
绕线
材料 - 磁芯
铁粉
电感
1.5μH
容差
±20%
额定电流
2A
电流 - 饱和值
2.1A
屏蔽
屏蔽
DC 电阻（DCR）
94 毫欧最大
不同频率时的 Q 值
-
频率 - 自谐振
-
等级
-
工作温度
-40°C ~ 85°C
频率 - 测试
1MHz
安装类型
*
封装/外壳
*
大小/尺寸
*
高度 - 安装（最大值）
*
标准包装
1

DFE201612R-H-1R5M=P2 技术参数

DFE201612R-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.6A 70 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1μH 容差:±20% 额定电流:2.6A 电流 - 饱和值:2.6A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:70 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE201612P-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 4.8A 33 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612P 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:470nH 容差:±20% 额定电流:4.8A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:33 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE201612P-R33M=P2 功能描述:330nH Shielded Wirewound Inductor 5.6A 28 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612P 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:330nH 容差:±20% 额定电流:5.6A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:28 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE201612P-R24M=P2 功能描述:240nH Shielded Wirewound Inductor 6.5A 23 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612P 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:240nH 容差:±20% 额定电流:6.5A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:23 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE201612P-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 144 mOhm Max 0806 (2016 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612P 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:2.1A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:144 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE252010F-1R0M=P2 DFE252010F-1R5M=P2 DFE252010F-2R2M=P2 DFE252010F-3R3M=P2 DFE252010F-4R7M=P2 DFE252010F-6R8M=P2 DFE252010F-8R2M=P2 DFE252010F-R33M=P2 DFE252010F-R47M=P2 DFE252010F-R68M=P2 DFE252010F-R82M=P2 DFE252010P-1R0M=P2 DFE252010P-1R2M=P2 DFE252010P-1R5M=P2 DFE252010P-2R2M=P2 DFE252010P-3R3M=P2 DFE252010P-4R7M=P2 DFE252010P-R33M=P2