DFE252008C-2R2M=P2全国供应商【买卖IC网】DFE252008C-2R2M=P2资料|PDF Datasheet|价格 Murata

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说明
操作

DFE252008C-2R2M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
Murata Electronics North
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

DFE252008C-2R2M=P2
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：朱先生/李小姐
电话：0755-2394163213723794312（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋530室。
865000
muRata-TOKO
原装封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

DFE252008C-2R2M=P2
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
2828
Murata Electronics North
1008（2520 公制）
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

DFE252008C-2R2M=P2
深圳市科宏特电子有限公司
深圳市科宏特电子有限公司
联系人：李瑞兵
电话：18897698645
地址：深圳市福田区深南中路华强电子世界三店佳和4C148
36000000
Toko
22+
-
原装正品

DFE252008C-2R2M=P2
深圳市博盛源科技有限公司
深圳市博盛源科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-23984783
地址：华强广场C座22K
资质：营业执照
59880
MURATA/村田
252008
21+
-
一级代理现货库存，配单专家竭诚为您服务

DFE252008C-2R2M=P2
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
MURATA
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

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功能描述
2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.6A 180 mOhm Max 1008 (2520 Metric)
制造商
murata electronics north america
系列
DFE252008C
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
类型
绕线
材料 - 磁芯
铁粉
电感
2.2μH
容差
±20%
额定电流
1.6A
电流 - 饱和值
-
屏蔽
屏蔽
DC 电阻（DCR）
180 毫欧最大
不同频率时的 Q 值
-
频率 - 自谐振
-
等级
-
工作温度
-40°C ~ 85°C
频率 - 测试
1MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
1008（2520 公制）
大小/尺寸
0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）
高度 - 安装（最大值）
0.031"（0.80mm）
标准包装
1

DFE252008C-2R2M=P2 技术参数

DFE252008C-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2A 126 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252008C 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:2A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:126 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.031"（0.80mm）标准包装:1 DFE252008C-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 91 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252008C 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1μH 容差:±20% 额定电流:2.3A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:91 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.031"（0.80mm）标准包装:1 DFE201612R-H-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 40 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:470nH 容差:±20% 额定电流:3.2A 电流 - 饱和值:3.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:40 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE201612R-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 154 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:1.4A 电流 - 饱和值:1.7A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:154 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE201612R-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2A 94 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:2A 电流 - 饱和值:2.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:94 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE252010F-6R8M=P2 DFE252010F-8R2M=P2 DFE252010F-R33M=P2 DFE252010F-R47M=P2 DFE252010F-R68M=P2 DFE252010F-R82M=P2 DFE252010P-1R0M=P2 DFE252010P-1R2M=P2 DFE252010P-1R5M=P2 DFE252010P-2R2M=P2 DFE252010P-3R3M=P2 DFE252010P-4R7M=P2 DFE252010P-R33M=P2 DFE252010P-R47M=P2 DFE252010P-R68M=P2 DFE252010R-H-1R0M=P2 DFE252010R-H-1R5M=P2 DFE252010R-H-2R2M=P2

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