DFE252010P-R68M=P2

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DFE252010P-R68M=P2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-62962871629687318256329162961347
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
6000
Murata Electronics North
标准封装
16+
-
假一罚十，百分百正品

DFE252010P-R68M=P2
深圳市新纳斯科技有限公司
深圳市新纳斯科技有限公司
联系人：王小姐
电话：0755-8363553213751165621
地址：深圳市福田区沙头街道新洲二街南溪新苑A606/深圳市福田区振华路高科德电子市场A3810室
资质：营业执照
2900
Murata Electronics North
1008（2520 公制）
17+
-
原装正品，授权分销商现货库存，价优，货期...

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1

您是不是要找： DFE252010R-H-1R0M=P2 DFE252010R-H-1R5M=P2 DFE252010R-H-2R2M=P2 DFE252010R-H-4R7M=P2 DFE252012F-100M=P2 DFE252012F-1R0M=P2 DFE252012F-1R5M=P2 DFE252012F-2R2M=P2 DFE252012F-3R3M=P2

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功能描述
680nH Shielded Wirewound Inductor 3A 48 mOhm Max
制造商
murata electronics north america
系列
DFE252010P
包装
*
零件状态
新产品
类型
绕线
材料 - 磁芯
铁粉
电感
680nH
容差
±20%
额定电流
3A
电流 - 饱和值
4.1A
屏蔽
屏蔽
DC 电阻（DCR）
48 毫欧最大
不同频率时的 Q 值
-
频率 - 自谐振
-
等级
-
工作温度
-40°C ~ 125°C
频率 - 测试
1MHz
安装类型
*
封装/外壳
*
大小/尺寸
*
高度 - 安装（最大值）
*
标准包装
1

DFE252010P-R68M=P2 技术参数

DFE252010P-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 5A 35 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010P 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:470nH 容差:±20% 额定电流:5A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:35 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE252010P-R33M=P2 功能描述:330nH Shielded Wirewound Inductor 5.7A 29 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010P 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:330nH 容差:±20% 额定电流:5.7A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:29 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE252010P-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.7A 270 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010P 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:1.7A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:270 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE252010P-3R3M=P2 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 195 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010P 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:3.3μH 容差:±20% 额定电流:2.1A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:195 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE252010P-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.6A 115 mOhm Max 1008 (2520 Metric) 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010P 包装:剪切带（CT）零件状态:有效类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:2.6A 电流 - 饱和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:115 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:1008（2520 公制）大小/尺寸:0.098" 长 x 0.079" 宽（2.50mm x 2.00mm）高度 - 安装（最大值）:0.039"（1.00mm）标准包装:1 DFE252012F-4R7M=P2 DFE252012F-6R8M=P2 DFE252012F-8R2M=P2 DFE252012F-R33M=P2 DFE252012F-R47M=P2 DFE252012F-R68M=P2 DFE252012F-R82M=P2 DFE252012P-1R0M=P2 DFE252012P-1R5M=P2 DFE252012P-2R2M=P2 DFE252012P-3R3M=P2 DFE252012P-4R7M=P2 DFE252012PD-1R0M=P2 DFE252012P-R33M=P2 DFE252012P-R47M=P2 DFE252012P-R68M=P2 DFE252012R-H-1R0M=P2 DFE252012R-H-1R5M=P2