- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录75 > DAP202UT106 (Rohm Semiconductor)DIODE SWITCH 80V 100MA SOT-323 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DAP202UT106 |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 338K |
| 描述： | DIODE SWITCH 80V 100MA SOT-323 |
| 产品培训模块： | Diodes Overview |
| 产品目录绘图： | Diode SOT-323 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.2V @ 100mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 70V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 100mA |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 80V |
| 反向恢复时间(trr)： | 4ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 1 对共阳极 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | UMD3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1648 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DAP202UT106DKR |
Data Sheet
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Switching Diode
DAP202U
?Applications
?Dimensions (Unit : mm) ?Land size figure (Unit : mm)
Ultra high speed switching
?Features
1) Small mold type. (UMD3)
2) High reliability.
?Construction
Silicon epitaxial planar
?Structure
?Taping specifications (Unit : mm)
?Absolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol UnitLimits
VRM
V
VR
V
IFM
mA
Io mA100
Isurge
A
Power dissipation 200Pd mW
Junction temperature 150Tj °C
Tstg °C?55 to ?150
f MHz100
?Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Symbol Min. Typ. Max. Unit
Conditions
VF
- - 1.2 V
IF=100mA
IR
- - 0.1
μA
VR=70V
Ct - - 3.5 pF
VR=6V , f=1MHz
trr - - 4 ns
VR=6V , IF=5mA , RL=50?
Reverse recovery time
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
Storage temperature
Rated in slash put frequency
Average rectified forward current (Single)
Surge current (t=1us) (Single)
4
Reverse voltage (DC)
80
Forward voltage (Single)
300
Parameter
Reverse voltage (repetitive peak)
80
UMD3
0.9MIN.
1.6
0.65
1.3
0.8MIN
4.0±0.1
4.0±0.1
2.0±0.05
φ1.55±0.05
3.5±0.05
1.75±0.1
8.0±0.2
φ0.5±0.05
2.4±0.1
2.25±0.1
0
5.5±0.2
1.25±0.1
2.4±0.1
0.3±0.1
0～0.1
ROHM :
JEDEC :S0T-323
JEITA : SC-70
week code (year week factory)
2.0±0.2
2.1±0.1
1.25±0.1
0.3±0.1
各リードともEach lead has same dimension
同寸法
(3)
1.3±0.1
（0.65）
（0.65）
(2)
(1)
0.15±0.05
0.9±0.1
0.7±0.1
0.1Min
0～0.1
1/2
2011.06 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DAP222G | DIODE SWITCH DUAL CA 80V SC75-3 |
| DAP222MT2L | DIODE SWITCH 100MA 80V VMD3 |
| DAP222TL | DIODE SWITCH 80V 100MA SOT-416 |
| DAP236UT106 | DIODE SWITCH BAND 35V 3EMD TR |
| DC03-11EWA | DISPLAY 627NM HE RED 2DIG 3" TH |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DAP208 | 制造商:DIOTEC 制造商全称:Diotec Semiconductor 功能描述:Silicon-Twin Rectifiers – Center Tap |
| DAP209 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Epitaxial Planar Silicon Diode Arrays |
| DAP209S | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Epitaxial Planar Silicon Diode Arrays |
| DAP215 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Epitaxial Planar Silicon Diode Arrays |
| DAP222 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 80V 100mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。