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参数资料
| 型号： | DG508BEQ-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 14/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MUX 8CHAN PREC 16-TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 多路复用器 |
| 电路： | 1 x 8:1 |
| 导通状态电阻： | 500 欧姆 |
| 电压电源： | 双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±5 V ~ 20 V |
| 电流 - 电源： | 500µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DG508BEQ-T1-E3DKR |
Document Number: 64821
S10-2817-Rev. D, 20-Dec-10
www.vishay.com
3
Vishay Siliconix
DG508B, DG509B
Notes:
a. Signals on SX, DX or INX exceeding V+ or V- will be clamped by internal diodes. Limit forward diode current to maximum current ratings.
b. All leads soldered or welded to PC board.
c. Derate 8.0 mW/°C above 70 °C.
d. Derate 5.6 mW/°C above 70 °C.
e. Derate 6.3 mW/°C above 70 °C.
f. Derate 6.6 mW/°C above 70 °C.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Parameter
Limit
Unit
Voltages Referenced to V-
V+
44
V
GND
25
Digital Inputsa, VS, VD
(V-) - 2 to (V+) + 2
or 20 mA, whichever occurs first
Current (Any terminal)
30
mA
Peak Current, S or D (Pulsed at 1 ms, 10 % duty cycle max.)
100
Storage Temperature
(EY, EQ, EJ, EN suffix)
- 65 to 150
°C
Power Dissipation (Packages)b
16-Pin Narrow SOICc
600
mW
16-Pin TSSOPd
450
16-Pin PDIPe
510
16-Pin miniQFNf
525
Thermal Resistance (
J-A)
b
16-Pin Narrow SOICc
125
°C/W
16-Pin TSSOPd
178
16-Pin PDIPe
159.6
16-Pin miniQFNf
152
SPECIFICATIONS
Parameter
Symbol
Test Conditions
Unless Otherwise Specified
V+ = 15 V, V- = - 15 V (± 10 %)
VAX, VEN = 2.0 V, 0.8 V
a
Temp.b
Typ.c
- 40 °C to 125 °C
- 40 °C to 85 °C
Unit
Min.d
Max.d
Min.d
Max.d
Analog Switch
Analog Signal Rangee
VANALOG
Full
- 15
15
- 15
15
V
Drain-Source
On-Resistance
RDS(on)
VD = ± 10 V, IS = - 1 mA
Room
180
380
Full
480
450
RDS(on) Matching
R
DS(on)
VD = ± 10 V
Room
10
Source Off Leakage Current
IS(off)
VD = ± 10 V
VS =
10 V
VEN = 0 V
Room
- 1
1
- 1
1
nA
Full
- 50
50
- 50
50
Drain Off Leakage Current
ID(off)
DG508B
Room
- 1
1
- 1
1
Full
- 100
100
- 100
100
DG509B
Room
- 1
1
- 1
1
Full
- 50
50
- 50
50
Drain On Leakage Current
ID(on)
VS = VD =
10
sequence each
switch on
DG508B
Room
- 1
1
- 1
1
Full
- 100
100
- 100
100
DG509B
Room
- 1
1
- 1
1
Full
- 50
50
- 50
50
Digital Control
Logic High Input Voltage
VINH
Full
2.0
V
Logic Low Input Voltage
VINL
Full
0.8
Logic High Input Current
IIH
VAX, VEN = 2.0 V
Full
- 1
1
- 1
1
A
Logic Low Input Current
IIL
VAX, VEN = 0.8 V
Full
- 1
1
- 1
1
Logic Input Capacitancee
Cin
f = 1 MHz
Room
4
pF
±
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参数描述 |
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