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参数资料
| 型号： | DG508BEQ-T1-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 20/20页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MUX 8CHAN PREC 16-TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 功能： | 多路复用器 |
| 电路： | 1 x 8:1 |
| 导通状态电阻： | 500 欧姆 |
| 电压电源： | 双电源 |
| 电压 - 电源，单路/双路(±)： | ±5 V ~ 20 V |
| 电流 - 电源： | 500µA |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DG508BEQ-T1-E3DKR |
Document Number: 64821
S10-2817-Rev. D, 20-Dec-10
www.vishay.com
9
Vishay Siliconix
DG508B, DG509B
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
Supply Current vs. Input Switching Frequency
Leakage Current vs. Temperature
Input Switching Frequency (Hz)
I-
-
Supply
Current
(A)
10
100
1K
10K
100K
1M
10M
100 mA
10 mA
1 mA
100 A
10 A
1 A
100 nA
10 nA
1 nA
V = + 12.0 V
V = ± 15.0 V
- 60
- 40 - 20
0
20
40
60
80
100
120 140
Temperature (C)
Leakage
Current
(pA)
10-1
100
101
102
103
104
105
V = ± 15.0 V
I D(ON)
I S(OFF)
I D(OFF)
Charge Injection vs. Analog Voltage
Leakage Current vs. Analog Voltage
Q
IN
J-
Charge
Injection
(pF)
V
S - Analog Voltage (V)
- 12
- 10
- 8
- 6
- 4
- 2
0
2
4
6
8
10
12
- 15 - 12
- 9
- 6
- 3
0
3
6
9
12
15
V = ± 15 V
C
L = 1 nF
V = + 12 V
C
L = 1 nF
- 15
- 10
- 5
0
5
10
15
Analog Voltage (V)
Leakage
Current
(pA)
8
6
4
2
0
- 2
- 4
- 6
- 8
ID(ON)
I
D(OFF)
IS(OFF)
V = ± 15 V
T = 25 °C
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| DG508BEY-T1-E3 | 功能描述:多路器开关 IC Sgl 8:1 CMOS 3-bit Multiplexer/MUX RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道数量:1 开关数量:4 开启电阻（最大值）:7 Ohms 开启时间（最大值）: 关闭时间（最大值）: 传播延迟时间:0.25 ns 工作电源电压:2.3 V to 3.6 V 工作电源电流: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UQFN-16 |
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