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参数资料
| 型号： | DHG20C1200PB |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 157K |
| 描述： | DIODE FRD CC 1200V 10A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.22V @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 1200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 反向恢复时间(trr)： | 200ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
DHG 20 C 1200 PB
preliminary
IRMS
A
per terminal
1)
35
RthCH
K/W
0.50
MD
Nm
0.6
mounting torque
0.4
Tstg
°C
150
storage temperature
-55
Weight
g
2
Symbol Definition
Ratings
typ. max.
min.
Conditions
RMS current
thermal resistance case to heatsink
Unit
FC
N
60
mounting force with clip
20
Ordering
Delivery Mode
Quantity
Code No.
Standard
Ordering Number
DHG 20 C 1200 PB
505280
Tube
50
XXXXXX
YYWWZ
Logo
Marking on product
DateCode
Assembly Code
abcdef
Product Marking
Assembly Line
D
=
H
=
G
=
20
=
C
=
1200
=
PB
=
Part number
Diode
Sonic Fast Recovery Diode
extreme fast
Common Cathode
TO-220AB (3)
Marking on Product
DHG20C1200PB
Current Rating [A]
Reverse Voltage [V]
1)
I
RMS
is typically limited by the pin-to-chip resistance (1); or by the current capability of the chip (2) .
In case of (1) and a common cathode/anode configu ration with a non-isolated backside,
the current capability can be increasedby connecting the backside.
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
?
2011 IXYS all rights reserved
20110715a
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DHG20C600PB | DIODE FRD CC 600V 10A TO-220AB |
| DHG20C600QB | DIODE FRD CC 600V 2X10A TO-3P |
| DHG40C1200HB | DIODE FRD CC 1200V 2X20A TO247AD |
| DHG40C600HB | DIODE FRD CC 600V 2X20A TO-247AD |
| DHG40C600PB | DIODE FRD CC 600V 20A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DHG20C600PB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG20C600QB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG20I1200HA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG20I1200PA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG20I600HA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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