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参数资料
| 型号： | DHG20C1200PB |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 157K |
| 描述： | DIODE FRD CC 1200V 10A TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.22V @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 10µA @ 1200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 10A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 反向恢复时间(trr)： | 200ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
DHG 20 C 1200 PB
preliminary
200 250 300 350 400 450 500
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
0
5
10
15
20
Qrr
[μC]
IF
[A]
VF
[V]
diF/dt
[A/μs]
TVJ
=125°C
TVJ
= 25°C
TVJ= 125°C
VR
= 600 V
5A
10 A
20 A
egrahcyrevoceresreverlacipyT2.giF
scitsiretcarahcdrawrof.pyT1.giF
Qrr
versus. diF/dt (125°C)
200 250 300 350 400 450 500
0
4
8
12
16
20
24
IRM
[A]
diF/dt
[A/μs]
TVJ= 125°C
VR
=600 V
5A
10 A
20 A
Fig. 3 Typical peak reverse current
IRR
versus diF/dt (125°C)
200 250 300 350 400 450 500
0
100
[ns]
200
300
400
500
trr
diF/dt
[A/μs]
5A
10 A
20 A
TVJ= 125°C
VR
=600V
Fig. 4 Typ. recovery time trr
vs. di/dt (125°C)
Fig. 5 Typ. recovery energy Erec
vs. diF/dt (125°C)
200 250 300 350 400 450 500
0.1
0.2
[mJ]0.3
0.4
0.5
0.6
Erec
diF/dt
[A/μs]
TVJ=125°C
VR
= 600 V
5A
10 A
20 A
0.001 0.01 0.1 1 10
0.1
1
10
Ri
i
0.385 0.0005
0.355 0.004
0.315 0.02
0.445 0.15
Fig. 6 Typ. transient thermal impedance
ZthJC
[K/W]
tP
[s]
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
?
2011 IXYS all rights reserved
20110715a
Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DHG20C600PB | DIODE FRD CC 600V 10A TO-220AB |
| DHG20C600QB | DIODE FRD CC 600V 2X10A TO-3P |
| DHG40C1200HB | DIODE FRD CC 1200V 2X20A TO247AD |
| DHG40C600HB | DIODE FRD CC 600V 2X20A TO-247AD |
| DHG40C600PB | DIODE FRD CC 600V 20A TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DHG20C600PB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG20C600QB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG20I1200HA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG20I1200PA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 20 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG20I600HA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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