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参数资料
| 型号： | DHG20I600PA |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 113K |
| 描述： | DIODE FRD SGL 600V 20A TO-220AC |
| 标准包装： | 50 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 600V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 20A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.32V @ 20A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 35ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 30µA @ 600V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-2 |
| 供应商设备封装： | TO-220AC |
| 包装： | 管件 |
   DHG 20 I 600 PA preliminary 200 400 600 800 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 0 10 20 30 40 Qrr [μC] IF [A] VF [V] diF/dt [A/μs] TVJ = 125°C TVJ =25°C 10 A 20 A 40 A Fig. 1 Typ. Forward current versus VF Fig. 2 Typ. reverse recov.charge Qrr vs. di/dt 200 300 400 500 600 700 800 900 4 8 12 16 20 IRM [A] diF/dt [A/μs] 10 A 20 A 40 A Fig. 3 Typ. peak reverse current IRM vs. di/dt 200 300 400 500 600 700 800 900 0 20 40 60 80 100 120 140 160 trr [ns] diF/dt [A/μs] 10 A 40 A Fig. 4 Typ. recovery time trr versus di/dt Fig. 5 Typ. transient thermal impedance 0.001 0.01 0.1 1 10 0.1 1 ZthJC [K/W] tP [s] TVJ= 125°C VR =300 V 20 A TVJ= 125°C VR =300 V TVJ= 125°C VR = 300 V R i t i 1 0.231 0.0005 2 0.212 0.004 3 0.19 0.02 4 0.267 0.15 IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions. ? 2011 IXYS all rights reserved 20110616a Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| DHG30I1200HA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG30I600HA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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