- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录130 > DHG30I1200HA (IXYS)DIODE FRD SGL 1200V 30A TO-247AD Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | DHG30I1200HA |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 97K |
| 描述： | DIODE FRD SGL 1200V 30A TO-247AD |
| 标准包装： | 30 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 30A |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 2.26V @ 30A |
| 速度： | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 200ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 50µA @ 1200V |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-247AD |
| 包装： | 管件 |
   DHG 30 I 1200 HA 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1 2 3 4 5 6 7 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 0 10 20 30 40 50 60 Qrr [μC] IF [A] VF [V] diF/dt [A/μs] TVJ = 125°C TVJ =25°C TVJ= 125°C VR =600 V 15 A 30 A 60 A Fig. 1 Typ. Forward current versus VF Fig. 2 Typ. reverse recov.charge Qrr vs. di/dt 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 0 10 20 30 40 50 60 70 IRR [A] diF/dt [A/μs] TVJ= 125°C VR =600V 15 A 30 A 60 A Fig. 3 Typ. peak reverse current IRM vs. di/dt 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 0 100 200 [ns] 300 400 500 600 700 trr diF/dt [A/μs] 15 A 30 A 60 A TVJ= 125°C VR = 600 V Fig. 4 Typ. recovery time trr versus di/dt Fig. 5 Typ. recovery energy Erec versus di/dt 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 0.0 0.4 [mJ] 0.8 1.2 1.6 2.0 Erec diF/dt [A/μs] TVJ=125°C VR = 600 V 15 A 30 A 60 A Fig. 6 Transient thermal impedance 0.001 0.01 0.1 1 10 0.1 1 ZthJC [K/W tP [s] Ri t i 0.158 0.0005 0.118 0.004 0.155 0.02 0.269 0.15 IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions. ? 2011 IXYS all rights reserved 20110510a Data according to IEC 60747and per diode unless otherwise specified |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DHG30I600HA | DIODE FRD SGL 600V 30A TO-247AD |
| DHG30I600PA | DIODE FRD SGL 600V 30A TO-220AC |
| DHG30IM600PC | DIODE FRD SGL 600V 30A TO-263AB |
| DHG5I600PA | DIODE FRD SGL 600V 5A TO-220AC |
| DHG5I600PM | DIODE FRD SGL 600V 5A TO220ACFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DHG30I600HA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG30I600PA | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG30IM600PC | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| DHG34AZM152K | 制造商:n/a 功能描述:DHG34AZM152K MURATA S5MXA |
| DHG40C1200HB | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 40 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。