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参数资料
| 型号： | DMC3018LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET COMPLIMENTARY PAIR 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.1A，6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 6.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 631pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMC3018LSD
Maximum Ratings N-CHANNEL – Q2 (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Drain Source Voltage
Gate-Source Voltage
Characteristic
Symbol
V DSS
V GSS
Value
30
± 20
Unit
V
V
Drain Current (Note 5)
Pulsed Drain Current (Note 6)
T A = +25°C
T A = +70°C
I D
I DM
9.1
7.7
32
A
A
Maximum Ratings P-CHANNEL – Q1 (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Drain Source Voltage
Gate-Source Voltage
Characteristic
Symbol
V DSS
V GSS
Value
-30
± 20
Unit
V
V
Drain Current (Note 5)
Pulsed Drain Current (Note 6)
T A = +25°C
T A = +70°C
I D
I DM
-6
-5
-21
A
A
Thermal Characteristics
(@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Power Dissipation (Note 5)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P D
R θ JA
T J , T STG
Value
2.5
50
-55 to +150
Unit
W
° C/W
° C
Electrical Characteristics N-CHANNEL – Q2
(@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
30
?
?
?
?
?
?
1
± 100
V
μA ?
nA ?
V GS = 0V, I D = 250μA
V DS = 24V, V GS = 0V
V GS = ±20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transfer Admittance
Diode Forward Voltage (Note 7)
V GS(th)
R DS(ON)
|Y fs |
V SD
1
?
?
?
0.5
1.9
18
29
10
?
2.1
20
32
?
1.2
V
m Ω
S
V
V DS = V GS , I D = 250μA
V GS = 10V, I D = 6.9A
V GS = 4.5V, I D = 5.0A
V DS = 5V, I D = 6.9A
V GS = 0V, I S = 1A
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
?
631
?
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
C oss
C rss
R G
?
?
?
147
99
0.9
?
?
?
pF
pF
Ω
V DS = 15V, V GS = 0V, f =1.0MHz
V DS = 0V, V GS = 0V, f = 1.0MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Q g
Q gs
Q gd
?
?
?
5.9
12.4
1.8
3.4
?
?
?
nC
V DS = 15V, V GS = 4.5V, I D = 7A
V DS = 15V, V GS = 10V, I D = 9A
V DS = 15V, V GS = 10V, I D = 9A
V DS = 15V, V GS = 10V, I D = 9A
Notes:
5. Device mounted on FR-4 PCB, on 2oz. Copper pads with R Θ JA = 50°C/W
6. Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature.
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
DMC3018LSD
Document number: DS31310 Rev. 9 - 2
2 of 8
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
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