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参数资料
| 型号： | DMC3018LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET COMPLIMENTARY PAIR 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.1A，6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 6.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 631pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMC3018LSD
Electrical Characteristics P-CHANNEL – Q1
(@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
-30
?
?
?
?
?
?
-1.0
± 100
V
μA ?
nA ?
V GS = 0V, I D = -250μA
V DS = -24V, V GS = 0V
V GS = ±20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transfer Admittance
Diode Forward Voltage (Note 7)
V GS(th)
R DS (ON)
|Y fs |
V SD
-1
?
?
?
-0.5
-1.7
35
56
8.2
?
-2.1
45
65
?
-1.2
V
m Ω
S
V
V DS = V GS , I D = -250 μ A
V GS = -10V, I D = -6A
V GS = -4.5V, I D = -5.0A
V DS =-5V, I D = -6A
V GS = 0V, I S = -1A
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
?
722
?
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
C oss
C rss
R G
?
?
?
114
92
1.9
?
?
?
pF
pF
Ω
V DS = -15V, V GS = 0V, f = 1.0MHz
V DS = 0V, V GS = 0V, f = 1.0MHz
SWITCHING CHARACTERISTICS
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Q g
Q gs
Q gd
?
?
?
7.0
13.7
1.7
4.1
?
?
?
nC
V DS = -15V, V GS = -4.5V, I D = -6A
V DS = -15V, V GS = -10V, I D = -6A
V DS = -15V, V GS = -4.5V, I D = -6A
V DS = -15V, V GS = -4.5V, I D = -6A
DMC3018LSD
Document number: DS31310 Rev. 9 - 2
3 of 8
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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