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参数资料
| 型号： | DMC3018LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET COMPLIMENTARY PAIR 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Bond Wire Change 11/Nov/2011 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.1A，6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 6.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 631pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
DMC3018LSD
N-CHANNEL
12
11
10
9
V GS = 10V
V GS = 4.5V
10
9
8
V DS = 5V
Pulsed
8
7
6
7
6
5
5
4
3
2
1
V GS = 1.5V
V GS = 1.0V
V GS = 3.0V
V GS = 2.5V
4
3
2
1
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
0
0.5
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
0
1
1.5 2 2.5 3
3.5
0.1
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0.05
0.04
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
V GS = 4.5V
0.03
I D = 5A
V GS = 4.5 V
V GS = 10V
0.01
0.1 1 10
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig 3 On-Resistance vs. Drain Current & Gate Voltage
0.02
0.01
0
-50
V GS = 10V
I D = 6.9A
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 4 Static Drain-Source On-Resistance
vs. Ambient Temperature
3
2.8
2.6
2.4
2.2
I D = 250μA
1,000
C iss
2
1.8
1.6
1.4
1.2
100
f = 1MHz
C oss
C rss
1
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
10
0
5
10
15
20
25
30
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Typical Total Capacitance
DMC3018LSD
Document number: DS31310 Rev. 9 - 2
4 of 8
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| DMC3025LSD-13 | 功能描述:MOSFET 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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