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参数资料
| 型号： | DMC3021LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.5A，7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 767pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC3021LSD-13DIDKR |
DMC3021LSD
Electrical Characteristics P-CHANNEL – Q1
(@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current T J = +25°C
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
-30
—
—
—
—
—
—
-1.0
±100
V
μA
nA
V GS = 0V, I D = -250 μ A
V DS = -30V, V GS = 0V
V GS = ±20V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transfer Admittance
Diode Forward Voltage (Note 7)
V GS(th)
R DS(ON)
|Y fs |
V SD
-1
—
—
—
—
-1.7
30
42
7
-0.75
-2.2
39
53
—
-1.0
V
m ?
S
V
V DS = V GS , I D = -250 μ A
V GS = -10V, I D = -4.3A
V GS = -4.5V, I D = -3.7A
V DS = -5V, I D = -4.3A
V GS = 0V, I S = -1.7A
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 8)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
Total Gate Charge (V GS = 4.5V)
Total Gate Charge (V GS = 10V)
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
C iss
C oss
C rss
R g
Q g
Q g
Q gs
Q gd
t D(on)
t r
t D(off)
t f
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1002
125
118
13
10.1
21.1
2.8
3.2
10.1
6.5
50.1
22.2
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
pF
pF
pF
?
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V DS = -10V, V GS = 0V,
f = 1.0MHz
V DS = 0V, V GS = 0V, f = 1MHz
V DS = -15V, I D = -6A
V GS = -10V, V DS = -15V,
R G = 6 ? , I D = -1A
Notes:
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
8. Guaranteed by design. Not subject to production testing.
20
20
V GS = 10V
V GS = 4.5V
V DS = 5V
15
V GS = 4.0V
15
V GS = 3.5V
10
10
5
V GS = 3.0V
5
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
0
0.5
V GS = 2.5V
1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 Typical Output Characteristics
5
0
0
T A = -55°C
1 2 3 4 5
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 Typical Transfer Characteristics
6
DMC3021LSD
Document number: DS32152 Rev. 2 - 2
5 of 8
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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