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参数资料
| 型号： | DMC3021LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.5A，7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 767pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC3021LSD-13DIDKR |
DMC3021LSD
0.10
0.08
0.10
0.08
V GS = 10V
T A = 150°C
0.06
0.06
T A = 125°C
T A = 85°C
0.04
V GS = 4.5V
0.04
T A = 25°C
0.02
V GS = 10V
0.02
T A = -55°C
0
0
5 10 15
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 13 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
20
0
0
5 10 15 20
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 14 Typical Drain-Source On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.7
1.5
0.08
0.07
0.06
1.3
1.1
0.05
0.04
V GS = 4.5V
I D = 5A
0.9
0.7
0.5
-50
V GS = 10V
I D = 10A
V GS = 4.5V
I D = 5A
-25 0 25 50 75 100 125 150
0.03
0.02
0.01
0
-50
V GS = 10V
I D = 10A
-25 0 25 50 75 100 125 150
2.5
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 15 On-Resistance Variation with Temperature
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 16 On-Resistance Variation with Temperature
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = 250μA
I D = 1mA
16
12
8
4
T A = 25°C
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 17 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 18 Diode Forward Voltage vs. Current
DMC3021LSD
Document number: DS32152 Rev. 2 - 2
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www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMC3021LSDQ-13 | 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:8.5A，7A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:21 毫欧 @ 7A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:16.1nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:767pF @ 10V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SO 标准包装:1 |
| DMC3025LSD-13 | 功能描述:MOSFET 30V Comp ENH Mode 25 to 30V MosFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMC3028LSD | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET NP CH W DIODE 30V SO8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, NP CH, W DIODE, 30V, SO8 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET, NP CH, W DIODE, 30V, SO8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:5.5A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.3W ;RoHS Compliant: Yes |
| DMC3028LSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET SOP-8L RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMC3028LSDX-13 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:30V Dual FET 28mOHm 10V VGS 7.1A 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET 30V Dual FET 28mOHm 10V VGS 7.1A |
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