参数资料
型号: DMC4028SSD-13
厂商: Diodes Inc
文件页数: 8/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET DUAL COMPL PAIR 8SOIC
标准包装: 1
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 5.4A,4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 28 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 12.9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 604pF @ 20V
功率 - 最大: 1.25W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: SO-8
包装: 标准包装
其它名称: DMC4028SSD-13DIDKR
A Product Line of
Diodes Incorporated
DMC4028SSD
Typical Characteristics – Q2 P-Channel
10
T = 25°C
10V
4V
3.5V
3V
10
T = 150°C
10V
4V
3.5V
3V
2.5V
1
2.5V
1
0.1
-V GS
0.1
2V
-V GS
0.01
10
1
0.1 1 10
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
-V DS = 10V
0.01
1.6
1.4
1.2
0.1 1 10
-V DS Drain-Source Voltage (V)
Output Characteristics
V GS = -10V
I D = -12A
R DS(on)
T = 150°C
T = 25°C
1.0
0.8
V GS = V DS
V GS(th)
0.1
1.5
2.0 2.5 3.0
-V GS Gate-Source Voltage (V)
3.5
0.6
-50
I D = -250uA
0 50 100
Tj Junction Temperature (°C)
150
Typical Transfer Characteristics
Normalised Curves v Temperature
-V GS
2.5V
T = 25°C
10
3V
1
0.1
3.5V
4V
4.5V
1
0.1
T = 150°C
T = 25°C
10V
0.01
0.01
0.01 0.1 1 10
-I D Drain Current (A)
On-Resistance v Drain Current
DMC4028SSD
Document Number: D35041 Rev: 2 - 2
1E-3
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
-V SD Source-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
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www.diodes.com
1.2
April 2013
? Diodes Incorporated
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