参数资料
型号: DMG1013UW-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 820mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 750 毫欧 @ 430mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 0.622nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 59.76pF @ 16V
功率 - 最大: 310mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-70,SOT-323
供应商设备封装: SOT-323
包装: 标准包装
产品目录页面: 1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: DMG1013UW-7DIDKR
DMG1013UW
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT-323
Dim Min Max Typ
A
B
0.25 0.40 0.30
1.15 1.35 1.30
G
H
B C
C
D
G
H
J
K
2.00 2.20 2.10
- - 0.65
1.20 1.40 1.30
1.80 2.20 2.15
0.0 0.10 0.05
0.90 1.00 0.95
K
M
L
M
??
0.25 0.40 0.30
0.10 0.18 0.11
0° 8° -
J
D
L
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
Y
Dimensions Value (in mm)
Z 2.8
X
0.7
Z
DMG1013UW
Document number: DS31861 Rev. 3 - 2
X
E
C
5 of 6
www.diodes.com
Y
C
E
0.9
1.9
1.0
September 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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参数描述
DMG1016UDW 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMG1016UDW-7 功能描述:MOSFET 20V Vdss 6V VGSS Complementary Pair RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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DMG1023UV 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET