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参数资料
| 型号： | DMG3420U-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.47A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 29 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 434.7pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 740mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG3420U-7DIDKR |
DMG3420U
1.6
20
1.4
16
1.2
1.0
I D = 1mA
12
T A = 25°C
0.8
0.6
I D = 250μA
8
0.4
4
0.2
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1,000
0
0.2
10,000
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
1.4
f = 1MHz
C iss
1,000
T A = 150°C
T A = 125°C
100
C oss
C rss
100
10
T A = 85°C
T A = 25°C
10
0
5 10 15
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Capacitance
20
1
0
5 10 15 20
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
100
R DS(on)
Limited
P W = 100μs
10
1
DC
P W = 10s
0.1 T = 150°C
P W = 1ms
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
J(max)
T A = 25°C
V GS = 10V
Single Pulse
0.01 DUT on 1 * MRP Board
0.1
1 10 100
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 11 SOA, Safe Operation Area
DMG3420U
Document number: DS31867 Rev. 5 - 2
4 of 6
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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