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参数资料
| 型号： | DMG4406LSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N CH 30V 10.3A SO-8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 11 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26.7nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1281pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMG4406LSS-13DIDKR |
DMG4406LSS
30
V GS = 10V
30
25
V GS = 4.5V
25
V DS = 5.0V
20
15
10
V GS = 4.0V
V GS = 3.5V
V GS = 3.0V
20
15
10
T A = 150 ? C
5
V GS = 2.5V
5
T A = 125 ? C
T A = 85 ? C
T A = 25 ? C
0
0
0.5 1.0 1.5
V DS , DRAIN -SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
2.0
0
0
T A = -55 ? C
1 2 3
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
4
0.04
0.03
0.04
0.03
V GS = 4.5V
0.02
0.02
T A = 125 ? C
T A = 150 ? C
T A = 85 ? C
0.01
0.01
T A = 25 ? C
T A = -55 ? C
0
0
5 10 15 20 25
I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
30
0
0
5 10 15 20 25
I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
30
V GS = 4 .5V
I D = 5 A
V GS = 10V
I D = 10 A
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMG4406LSS
Document number: DS35539 Rev. 8 - 2
3 of 6
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG4413LSS-13 | MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L |
| DMG4435SSS-13 | MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG4407SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4413LSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMG4413LSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4435SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG4435SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET,P-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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