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参数资料
| 型号： | DMG4710SSS-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 12.7A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SiMFET |
| FET 型： | MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物! |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.5 毫欧 @ 11.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 43nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1849pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.54W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | DMG4710SSS-13DIDKR |
DMG4710SSS
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
0.1
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.9
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
D = 0.02
R θ JA = 80°C/W
0.01
D = 0.01
D = 0.005
P(pk)
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
0.001
D = Single Pulse
Duty Cycle, D = t 1 /t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1,000
t 1 , PULSE DURATION TIME (s)
Fig. 12 Transient Thermal Response
Package Outline Dimensions
SO-8
Dim
A
Min
-
Max
1.75
E1 E
A1
0.10
0.20
A1
L
Gauge Plane
Seating Plane
A2
A3
1.30
0.15
1.50
0.25
b
0.3
0.5
Detail ‘A’
D
E
4.85
5.90
4.95
6.10
h
7 °~ 9 °
E1
3.85
3.95
45 °
e
1.27 Typ
A2 A A3
Detail ‘A’
h
L
- 0.35
0.62 0.82
e
D
b
θ 0 ° 8 °
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
X
Dimensions
X
Value (in mm)
0.60
Y
DMG4710SSS
Document number: DS32055 Rev. 6 - 2
C2
C1
Y
C1
C2
5 of 6
www.diodes.com
1.55
5.4
1.27
November 2010
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG4712SSS-13 | MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC |
| DMG4800LFG-7 | MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN |
| DMG4800LK3-13 | MOSFET N-CH 30V 10A TO252 |
| DMG4800LSD-13 | MOSFET 2N-CH 30V 8.54A SO8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG4712SSS | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE |
| DMG4712SSS-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4800LFG | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG4800LFG-7 | 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V/4.82 - 7.44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG4800LK3 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
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