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参数资料
| 型号： | DMG6898LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 9.5A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 9.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1149pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.28W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMG6898LSD-13DIDKR |
DMG6898LSD
20
V GS = 8.0V
V GS = 4.5V
20
15
V GS = 3.0V
15
V DS = 10V
V GS = 2.5V
V GS = 2.0V
10
10
5
V GS = 1.8V
5
T A = 150°C
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0
V GS = 1.5V
0
T A = -55°C
0
0.5 1 1.5
2
0
0.5 1 1.5 2 2.5
3
0.06
0.05
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristic
0.04
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristic
0.03
V GS = 4.5V
0.04
V GS = 1.8V
0.03
0.02
T A = 150°C
T A = 125°C
0.02
0.01
0
V GS = 2.5V
V GS = 4.5V
0.01
0
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.6
0.04
1.4
0.03
1.2
1.0
0.8
V GS = 4.5V
I D = 500mA
V GS = 2.5V
I D = 150mA
0.02
0.01
V GS = 4.5V
I D = 500mA
V GS = 2.5V
I D = 150mA
0.6
0.4
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
DMG6898LSD
Document number: DS31947 Rev. 4 - 2
3 of 6
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMG6968U-7 | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG6968LSD-13 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V VDSS 30A 12V VGSS .81W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG6968U | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG6968U-7 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG6968UDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG6968UDM-7 | 功能描述:MOSFET DUAL N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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