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参数资料
| 型号： | DMG6898LSD-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 9.5A SO8 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 9.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1149pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.28W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SO |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMG6898LSD-13DIDKR |
DMG6898LSD
1.8
1.6
20
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
I D = 250μA
I D = 1mA
15
10
5
0
T A = 25°C
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0.4
0.6 0.8 1
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
1,800
1,600
10,000
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
1,400
1,200
1,000
C iss
1,000
T A = 150°C
T A = 125°C
100
800
600
400
200
0
C oss
C rss
10
1
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0
5 10 15
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
20
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
20
Fig. 9 Typical Total Capacitance
Fig. 10 Typical Leakage Current
vs. Drain-Source Voltage
10
8
6
4
2
0
V DS = 10V
I D = 9.4A
0
4
8 12 16 20 24 28
Q g , T OTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Source Voltage vs. Total Gate Charge
DMG6898LSD
Document number: DS31947 Rev. 4 - 2
4 of 6
www.diodes.com
March 2012
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMG6968LSD-13 | 功能描述:MOSFET N-CH 20V VDSS 30A 12V VGSS .81W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG6968U | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG6968U-7 | 功能描述:MOSFET N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMG6968UDM | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMG6968UDM-7 | 功能描述:MOSFET DUAL N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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