型号: | DMMT5401_1 |
厂商: | Diodes Inc. |
英文描述: | MATCHED PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
中文描述: | 匹配进步党小信号晶体管表面贴装 |
文件页数: | 3/4页 |
文件大小: | 176K |
代理商: | DMMT5401_1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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DMMT5401-7-F | MATCHED PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DMMT5551-7-F | MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DMMT5551S-7-F | MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DMN100 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
DMN100-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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DMMT5401-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT MATCHED PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
DMMT5401-7-F | 功能描述:两极晶体管 - BJT MATCHED PNP SM SIGNAL TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
DMMT5401-TP | 功能描述:TRANSISTOR PNP 200MA 150V SOT363 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA 电压 - 集电极发射极击穿(最大):45V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA 电流 - 集电极截止(最大):- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大:250mW 频率 - 转换:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 供应商设备封装:PG-SOT363-6 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000747402 |
DMMT5551 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
DMMT5551_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |