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参数资料
| 型号： | DMMT5401-7-F |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | MATCHED PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 200 mA, 150 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 176K |
| 代理商： | DMMT5401-7-F |
DS30437 Rev. 5 - 2
3 of 4
DMMT5401
www.diodes.com
0.01
0.1
1.0
10.0
1
10
100
1000
T
= 25°C
A
T
= -50°C
A
T
=
150°C
A
V
, COLLECTOR TO EMITTER
CE(SAT)
SATURATION VOLTAGE (V)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 2, Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
I
C
I
B
=
10
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
1.0
10
100
V
, BASE EMITTER VOLTAGE (V)
BE(ON)
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 4, Base Emitter Voltage vs. Collector Current
T
= 25°C
A
T
= -50°C
A
T
=
150°C
A
V
= 5V
CE
1
10
100
1000
10,000
1
10
100
1000
V
= 5V
CE
h
, DC CURRENT GAIN
FE
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 3, DC Current Gain vs. Collector Current
T
= 25°C
A
T
= -50°C
A
T
=
150°C
A
10
100
1000
1
1
10
100
f , GAIN BANDWIDTH PRODUCT (MHz)
T
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
C
Fig. 5, Gain Bandwidth Product vs Collector Current
V
= 10V
CE
0
50
100
25
50
75
100
125
150
175
200
P , POWER DISSIPATION (mW)
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
A
Fig. 1, Max Power Dissipation vs
Ambient Temperature
150
200
250
300
350
400
0
Note 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMMT5551-7-F | MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DMMT5551S-7-F | MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DMN100 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN100-7 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| DMN2004DWK | DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMMT5401-TP | 功能描述:TRANSISTOR PNP 200MA 150V SOT363 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 阵列 系列:- 标准包装:10,000 系列:- 晶体管类型:2 NPN（双） 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:100mA 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:45V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:600mV @ 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大）:- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):200 @ 2mA，5V 功率 - 最大:250mW 频率 - 转换:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商设备封装:PG-SOT363-6 包装:带卷 (TR) 其它名称:SP000747402 |
| DMMT5551 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DMMT5551_1 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DMMT5551_2 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| DMMT5551-7 | 功能描述:两极晶体管 - BJT MATCHED NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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