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参数资料
| 型号： | DMMT5551S-7-F |
| 厂商： | DIODES INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | MATCHED NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 中文描述： | 200 mA, 160 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | GREEN, PLASTIC PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | DMMT5551S-7-F |
DS30436 Rev. 7 - 2
3 of 4
DMMT5551/DMMT5551S
www.diodes.com
1
10
1000
100
1
10
100
f
T
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 5, Gain Bandwidth Product vs.
Collector Current
V
= 5V
CE
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
1
10
100
V
,
B
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 4, Base Emitter Voltage
vs. Collector Current
V
= 5V
CE
T
= 150°C
A
T
= 25°C
A
T
= -50°C
A
1
10
1000
100
1
10
100
h
,
F
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 3, DC Current Gain vs
Collector Current
V
= 5V
CE
T
= 150°C
A
T
= 25°C
A
T
= -50°C
A
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.15
0.14
0.13
0.12
0.11
0.10
1
10
100
1000
V
,
C
I , COLLECTOR CURRENT (mA)
Fig. 2, Collector Emitter Saturation Voltage
vs. Collector Current
I
C
I
B
=
10
T
= 150°C
A
T
= 25°C
A
T
= -50°C
A
0
50
100
25
50
75
100
125
150
175
200
P
D
T , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 1, Max Power Dissipation vs
Ambient Temperature
150
200
250
300
350
400
0
Note 2
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| DMN100 | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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